P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% UIS 測(cè)試等特點(diǎn),有助于提高系統(tǒng)效率、減少散熱需求、避免熱失控,可應(yīng)用于消費(fèi)類開關(guān)電源、PFC 或 DC/DC 級(jí)的升壓二極管、AC/DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
*附件:SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
特點(diǎn)
- 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
- 超快開關(guān)速度
- 零反向恢復(fù)電流
- 適用于高頻操作
- 正向電壓具有正溫度系數(shù)
- 高浪涌電流能力
- 100% 經(jīng)過 UIS 測(cè)試(單脈沖雪崩能量測(cè)試)
優(yōu)勢(shì)
- 提高系統(tǒng)效率
- 降低對(duì)散熱器的需求
- 基本無開關(guān)損耗
- 器件并聯(lián)時(shí)不會(huì)出現(xiàn)熱失控現(xiàn)象
應(yīng)用領(lǐng)域
典型性能
封裝外形
-
肖特基二極管
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
978瀏覽量
35745 -
SBD
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
195瀏覽量
13998 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
3152瀏覽量
64433 -
數(shù)據(jù)手冊(cè)
+關(guān)注
關(guān)注
95文章
6204瀏覽量
43475 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
3013瀏覽量
50047
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型
SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

評(píng)論