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HFG610-65 數據手冊和產品介紹 具有集成 GaN HEMT 的高頻準諧振反激式穩壓器
HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準諧振 (QR) 反激式穩壓器,專用于高性能和高頻設計。與傳統QR 反激式穩壓器不同,HFG610-...
我們深入探討了 WBG 技術的前景和缺陷,考察了這些硅替代品的優缺點,以及汽車和 5G 等要求苛刻的應用是否足以將 GaN 和 SiC 技術推向未來芯片...
據晶湛半導體消息,晶湛半導體業界公認的硅氮化鎵(e -on-si)外延技術開拓者程凱博士將于2012年3月回國創業。國際先進的氮化鎵外延材料開發和產業化基地
華大半導體旗下中電化合物榮獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產品獎”
近期,由第三代半導體產業知名媒體與產業研究機構“行家說三代半”主辦的“2023年行家極光獎”頒獎典禮在深圳正式拉開帷幕,數家SiC&GaN企業代...
近年來,在消費電子需求帶動下,加上新能源汽車、數據中心、光伏、風電、工業控制等產業的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體廠商發展迅速。
TGA2239-CP是一款工作頻率為13.4?–?15.5?GHz,飽和輸出功率達到 50?W的 GaN 功率放大器,產品主要應用于通信和雷達等相關領域...
致工程師系列之四:寬禁帶半導體器件GaN、SiC設計優化驗證
第三代寬禁帶半導體器件 GaN 和 SiC 的出現,推動著功率電子行業發生顛覆式變革。新型開關器件既能實現低開關損耗,又能處理超高速 dv/dt 轉換,...
近日,日本功率器件大廠羅姆半導體(ROHM)宣布了一項重要決策,將在GaN功率半導體領域加強與臺積電的合作。據悉,羅姆將全面委托臺積電代工生產GaN功率...
格芯收購 Tagore Technology 的 GaN 技術
來源:Silicon Semiconductor 此次技術收購擴展了 GF(格芯) 的電源管理解決方案和差異化路線圖。 GlobalFoundries ...
2024-07-08 標簽:GaNTechnology 810 0
近日,備受全球矚目的國際電力電子應用展覽會APEC在美國洛杉磯盛大閉幕。作為全球電力電子領域的年度盛會,APEC吸引了眾多頂尖企業的目光,他們紛紛攜帶最...
本次交易將會導致公司合并報表范圍發生變化,本次交易完成后,公司持有聚能創芯股權的比例由32.02%變更為25.02%,聚能創芯不再是公司控股子公司,不再...
iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管
大規模數據中心、企業服務器或電信交換站使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發展至關重要。但是,電力電子行業中的硅MOSF...
在2024年12月12日落幕的行家說三代半年會上,行業內上下游主流企業及行業精英匯聚深圳,共同探討行業趨勢,深化交流合作。安世半導體作為其中的重要一員,...
位于英國劍橋市的無晶圓制造環保科技型半導體公司 Cambridge GaN Devices(簡稱 CGD)研發了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件,主...
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