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GaN技術(shù):電子領(lǐng)域的下一波浪潮

GaN技術(shù):電子領(lǐng)域的下一波浪潮

GaN技術(shù)正在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角,受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費(fèi)電子和航空航天等領(lǐng)域,特別是在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,展現(xiàn)了巨大的潛力。這將...

2023-10-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵GaN 795 0

基于GaN功率器件的大功率和高功率密度EV逆變器

提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開始。與碳化硅相比,氮化鎵可以顯著降低動(dòng)態(tài)損耗,因此可以降低整體損耗。因此,這是未來實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。

2022-07-26 標(biāo)簽:逆變器功率器件GaN 795 0

采訪 Alex Lidow:探索用于太空電源設(shè)計(jì)的 GaN

采訪 Alex Lidow:探索用于太空電源設(shè)計(jì)的 GaN

現(xiàn)代電信衛(wèi)星的結(jié)構(gòu)旨在將它們放置在正確的軌道上并使其能夠更有效地運(yùn)行。衛(wèi)星由核心部分組成,其中包含大部分電氣設(shè)備、推進(jìn)系統(tǒng)和相關(guān)的坦克。通過伽馬射線、中...

2022-08-03 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體GaN 794 0

柵極驅(qū)動(dòng)DC/DC系列產(chǎn)品擴(kuò)展

非對(duì)稱穩(wěn)壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動(dòng) - 現(xiàn)在,借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為 IGBT、Si、S...

2023-12-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaNdcdc轉(zhuǎn)換器 790 0

華潤微電子(重慶)有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專利公布

華潤微電子(重慶)有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專利公布

此項(xiàng)發(fā)明主要涉及在襯底上構(gòu)建外延疊層,并在此基礎(chǔ)上制備柵極、漏極和源極;同時(shí),在器件有源區(qū)周圍形成屏蔽環(huán)層,并利用第一和第二金屬互連層將襯底與源極連接起來。

2024-04-13 標(biāo)簽:GaN襯底華潤微電子 790 0

朗迅科技承擔(dān)國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)

朗迅科技承擔(dān)國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)

近日,朗迅科技參與國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng) ——?GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)綜合績效評(píng)價(jià)會(huì)議,至此,該項(xiàng)目順利結(jié)題。 “戰(zhàn)略...

2022-01-07 標(biāo)簽:電子器件GaN 789 0

羅姆與臺(tái)積電合作,共同推進(jìn)GaN功率半導(dǎo)體在車載設(shè)備中的應(yīng)用

羅姆與臺(tái)積電合作,共同推進(jìn)GaN功率半導(dǎo)體在車載設(shè)備中的應(yīng)用

近日,有報(bào)道指出,羅姆公司將委托知名半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電生產(chǎn)硅基板上的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體,用于車載設(shè)備。這一合作標(biāo)志著羅姆在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域戰(zhàn)略布局...

2024-12-12 標(biāo)簽:臺(tái)積電GaN功率半導(dǎo)體 788 0

Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開關(guān)IC

ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日發(fā)布全球額定...

2023-10-31 標(biāo)簽:開關(guān)IC氮化鎵 788 0

新一代功率器件將在2013年迎來技術(shù)大挑戰(zhàn)

SiC和GaN作為新一代的半導(dǎo)體功率器件,由于其開關(guān)高速、高頻工作和高溫工作燈特點(diǎn),受到了廣大關(guān)注。隨著鐵路和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用增加,在2013年,這兩款器件...

2013-01-21 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 786 0

瑞薩電子完成對(duì)Transphorm的收購,加速GaN技術(shù)布局

在全球半導(dǎo)體技術(shù)競爭日益激烈的今天,瑞薩電子以其前瞻性的戰(zhàn)略眼光和果斷的行動(dòng),成功完成了對(duì)氮化鎵(GaN)器件商Transphorm的收購,收購價(jià)高達(dá)3...

2024-06-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN瑞薩電子 783 0

SK啟方半導(dǎo)體計(jì)劃年底完成650V GaN HEMT開發(fā)工作

在半導(dǎo)體技術(shù)的浪潮中,韓國8英寸晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破——已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN(氮化鎵...

2024-06-25 標(biāo)簽:晶圓GaN功率半導(dǎo)體 781 0

三星進(jìn)軍GaN代工

一直專注于汽車半導(dǎo)體市場的三星電子宣布進(jìn)軍下一代功率半導(dǎo)體市場。相應(yīng)地,硅半導(dǎo)體時(shí)代是否會(huì)結(jié)束、新材料市場是否會(huì)打開,業(yè)內(nèi)人士都在關(guān)注。

2023-07-10 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 779 0

臺(tái)亞半導(dǎo)體再度調(diào)整業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)

臺(tái)亞半導(dǎo)體于近日成功召開股東會(huì),會(huì)議通過了將8英寸GaN(氮化鎵)事業(yè)群分割給子公司冠亞半導(dǎo)體的計(jì)劃。這是繼兩年前臺(tái)亞將系統(tǒng)事業(yè)群劃分給星亞視覺后,再次...

2024-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 776 0

利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體結(jié)

利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體結(jié)

盡管傳統(tǒng)高壓平面MOSFET取得了進(jìn)步,但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化,因此局限性仍然存在。本文將講解超級(jí)結(jié)MOSFET(例如意法...

2024-04-23 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 772 0

號(hào)稱“氮化鎵龍頭企業(yè)”,英飛凌完成 8.3 億美元收購 GaN Systems 公司

?10 月 25 日消息,英飛凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),并號(hào)稱“成為領(lǐng)先的氮化鎵龍...

2023-10-26 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵GaN 770 0

ALLOS與KAUST即將共同研發(fā)高效硅基InGaN紅色Micro LED

據(jù)報(bào)道,德國硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學(xué)(KAUST)研究團(tuán)隊(duì)達(dá)成合作,雙方將共同研發(fā)高效硅基I...

2020-07-22 標(biāo)簽:GaNmicroLED 770 0

Transphorm的GaN首次達(dá)到對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用至關(guān)重要的短路穩(wěn)健性里程碑

Yaskawa企業(yè)技術(shù)部基礎(chǔ)研發(fā)管理部經(jīng)理Motoshige Maeda表示:“如果功率半導(dǎo)體器件無法承受短路事件,系統(tǒng)本身可能失效。業(yè)界普遍認(rèn)為GaN...

2023-08-14 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN功率晶體管 770 0

GaN-Based如何在EMI和功耗之間尋找一個(gè)最優(yōu)的平衡?

GaN-Based如何在EMI和功耗之間尋找一個(gè)最優(yōu)的平衡? GaN-Based材料是一種具有廣泛應(yīng)用前景的寬能隙半導(dǎo)體材料,其在高頻功率電子設(shè)備中具有...

2023-11-07 標(biāo)簽:emi電源電路GaN 769 0

應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢(shì)?

GaN為何物?應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢(shì)? GaN, 全名氮化鎵(Gallium Nitride),是一種半導(dǎo)體材料...

2023-11-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 769 0

氮化鎵推動(dòng)電源解決方案

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來越廣泛,而在這些設(shè)備中,電源是一個(gè)非常重要的部件。近年來,氮化鎵(GaN)材料在電源領(lǐng)域的應(yīng)用逐漸受到關(guān)注...

2023-10-20 標(biāo)簽:電源氮化鎵GaN 768 0

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  • 藍(lán)牙5
    藍(lán)牙5
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    藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度,更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱,新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps,是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是,它的有效距離是上一版本的4倍,理論上,藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
  • Qorvo
    Qorvo
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  • 5G手機(jī)
    5G手機(jī)
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    5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù),相對(duì)4G而言,網(wǎng)速更快;5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī),5G手機(jī)有更快的傳輸速度,低時(shí)延,通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù),擁有更精準(zhǔn)的定位。
  • TWS
    TWS
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    自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場得到迅猛發(fā)展,藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮,TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接,一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
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    智能工業(yè)
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      智能工業(yè):是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié),大幅提高制造效率,改善產(chǎn)品質(zhì)量,降低產(chǎn)品成本和資源消耗,將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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    智慧家庭是智慧城市的最小單元,是以家庭為載體,以家庭成員之間的親情為紐帶,結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù),實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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    是德科技公司(Keysight,NYSE:KEYS)是全球領(lǐng)先的電子測量公司,通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新,為您提供全新的測量體驗(yàn)。
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    無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控(GFSK)收發(fā)電路的功能,以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋F24D的傳輸速率為1M,具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾。可在擁擠的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
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    太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源;太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域,給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
  • 藍(lán)牙5.0
    藍(lán)牙5.0
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    藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化,藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位,提高傳輸速度,增加有效工作距離。
  • Elektron
    Elektron
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    WiGig
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    WiGig(Wireless Gigabit,無線千兆比特)是一種更快的短距離無線技術(shù),可用于在家中快速傳輸大型文件。
  • 樂鑫
    樂鑫
    +關(guān)注
    樂鑫信息科技(上海)有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū),是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司,致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片,提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
  • lorawan
    lorawan
    +關(guān)注
    LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu),如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層,LoRa是物理層。
  • KeyStone
    KeyStone
    +關(guān)注
  • 5G毫米波
    5G毫米波
    +關(guān)注
    5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù),毫米波指的是一種特殊電磁波,波長為1毫米到10毫米,波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段,毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì),可滿足未來無線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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    JN5168
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  • 802.11ax
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    ZigBee3.0
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    貼片天線
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    射頻元件
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    無線設(shè)備
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    LTE-Advanced
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    超外差接收機(jī)
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      超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻,將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
  • 藍(lán)牙m(xù)esh
    藍(lán)牙m(xù)esh
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    藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò),是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊,使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
  • 藍(lán)牙4.2
    藍(lán)牙4.2
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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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