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標(biāo)簽 > gan
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GaN技術(shù)正在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角,受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費(fèi)電子和航空航天等領(lǐng)域,特別是在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,展現(xiàn)了巨大的潛力。這將...
2023-10-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵GaN 795 0
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開始。與碳化硅相比,氮化鎵可以顯著降低動(dòng)態(tài)損耗,因此可以降低整體損耗。因此,這是未來實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。
采訪 Alex Lidow:探索用于太空電源設(shè)計(jì)的 GaN
現(xiàn)代電信衛(wèi)星的結(jié)構(gòu)旨在將它們放置在正確的軌道上并使其能夠更有效地運(yùn)行。衛(wèi)星由核心部分組成,其中包含大部分電氣設(shè)備、推進(jìn)系統(tǒng)和相關(guān)的坦克。通過伽馬射線、中...
柵極驅(qū)動(dòng)DC/DC系列產(chǎn)品擴(kuò)展
非對(duì)稱穩(wěn)壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動(dòng) - 現(xiàn)在,借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為 IGBT、Si、S...
2023-12-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaNdcdc轉(zhuǎn)換器 790 0
華潤微電子(重慶)有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專利公布
此項(xiàng)發(fā)明主要涉及在襯底上構(gòu)建外延疊層,并在此基礎(chǔ)上制備柵極、漏極和源極;同時(shí),在器件有源區(qū)周圍形成屏蔽環(huán)層,并利用第一和第二金屬互連層將襯底與源極連接起來。
朗迅科技承擔(dān)國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)
近日,朗迅科技參與國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng) ——?GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)綜合績效評(píng)價(jià)會(huì)議,至此,該項(xiàng)目順利結(jié)題。 “戰(zhàn)略...
羅姆與臺(tái)積電合作,共同推進(jìn)GaN功率半導(dǎo)體在車載設(shè)備中的應(yīng)用
近日,有報(bào)道指出,羅姆公司將委托知名半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電生產(chǎn)硅基板上的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體,用于車載設(shè)備。這一合作標(biāo)志著羅姆在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域戰(zhàn)略布局...
2024-12-12 標(biāo)簽:臺(tái)積電GaN功率半導(dǎo)體 788 0
Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開關(guān)IC
ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日發(fā)布全球額定...
新一代功率器件將在2013年迎來技術(shù)大挑戰(zhàn)
SiC和GaN作為新一代的半導(dǎo)體功率器件,由于其開關(guān)高速、高頻工作和高溫工作燈特點(diǎn),受到了廣大關(guān)注。隨著鐵路和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用增加,在2013年,這兩款器件...
瑞薩電子完成對(duì)Transphorm的收購,加速GaN技術(shù)布局
在全球半導(dǎo)體技術(shù)競爭日益激烈的今天,瑞薩電子以其前瞻性的戰(zhàn)略眼光和果斷的行動(dòng),成功完成了對(duì)氮化鎵(GaN)器件商Transphorm的收購,收購價(jià)高達(dá)3...
SK啟方半導(dǎo)體計(jì)劃年底完成650V GaN HEMT開發(fā)工作
在半導(dǎo)體技術(shù)的浪潮中,韓國8英寸晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破——已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN(氮化鎵...
2024-06-25 標(biāo)簽:晶圓GaN功率半導(dǎo)體 781 0
一直專注于汽車半導(dǎo)體市場的三星電子宣布進(jìn)軍下一代功率半導(dǎo)體市場。相應(yīng)地,硅半導(dǎo)體時(shí)代是否會(huì)結(jié)束、新材料市場是否會(huì)打開,業(yè)內(nèi)人士都在關(guān)注。
2023-07-10 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 779 0
臺(tái)亞半導(dǎo)體再度調(diào)整業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)
臺(tái)亞半導(dǎo)體于近日成功召開股東會(huì),會(huì)議通過了將8英寸GaN(氮化鎵)事業(yè)群分割給子公司冠亞半導(dǎo)體的計(jì)劃。這是繼兩年前臺(tái)亞將系統(tǒng)事業(yè)群劃分給星亞視覺后,再次...
利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體結(jié)
盡管傳統(tǒng)高壓平面MOSFET取得了進(jìn)步,但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化,因此局限性仍然存在。本文將講解超級(jí)結(jié)MOSFET(例如意法...
2024-04-23 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 772 0
號(hào)稱“氮化鎵龍頭企業(yè)”,英飛凌完成 8.3 億美元收購 GaN Systems 公司
?10 月 25 日消息,英飛凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),并號(hào)稱“成為領(lǐng)先的氮化鎵龍...
ALLOS與KAUST即將共同研發(fā)高效硅基InGaN紅色Micro LED
據(jù)報(bào)道,德國硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學(xué)(KAUST)研究團(tuán)隊(duì)達(dá)成合作,雙方將共同研發(fā)高效硅基I...
Transphorm的GaN首次達(dá)到對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用至關(guān)重要的短路穩(wěn)健性里程碑
Yaskawa企業(yè)技術(shù)部基礎(chǔ)研發(fā)管理部經(jīng)理Motoshige Maeda表示:“如果功率半導(dǎo)體器件無法承受短路事件,系統(tǒng)本身可能失效。業(yè)界普遍認(rèn)為GaN...
2023-08-14 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN功率晶體管 770 0
GaN-Based如何在EMI和功耗之間尋找一個(gè)最優(yōu)的平衡?
GaN-Based如何在EMI和功耗之間尋找一個(gè)最優(yōu)的平衡? GaN-Based材料是一種具有廣泛應(yīng)用前景的寬能隙半導(dǎo)體材料,其在高頻功率電子設(shè)備中具有...
應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢(shì)?
GaN為何物?應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢(shì)? GaN, 全名氮化鎵(Gallium Nitride),是一種半導(dǎo)體材料...
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來越廣泛,而在這些設(shè)備中,電源是一個(gè)非常重要的部件。近年來,氮化鎵(GaN)材料在電源領(lǐng)域的應(yīng)用逐漸受到關(guān)注...
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