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德州儀器推出先進(jìn)的 GaN IPM,打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)
650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù),助力家電和暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率。 得益于 IPM...
Ganvix與BluGlass合作開(kāi)發(fā)基于GaN的綠光VCSEL
與此同時(shí),總部位于澳大利亞的BluGlass正在開(kāi)發(fā)一種稱為遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積(RPCVD)的新型沉積技術(shù),其不同于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCV...
多維科技在紐倫堡Sensor+Test展會(huì)上推2MHz帶寬的可編程TMR265x線性傳感器芯片
多維科技全新的TMR265x 線性磁場(chǎng)傳感器芯片具有出色的溫度穩(wěn)定性和多功能性,為高速功率器件提供寬頻譜電流檢測(cè)方案。 2023年5月8日,多維科技將在...
PI近日宣布推出1700V氮化鎵(GaN)開(kāi)關(guān)IC,這一技術(shù)突破有哪些亮點(diǎn)?它將如何影響高壓氮化鎵市場(chǎng)? 近日,Power Integrations(以...
2024-11-15 標(biāo)簽:氮化鎵GaN開(kāi)關(guān)IC 733 0
德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式開(kāi)工
據(jù)天津經(jīng)開(kāi)區(qū)一泰達(dá)消息,近日,天津德高化成新材料股份有限公司的全資子公司天津德高化成科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱德高化成)在天津經(jīng)開(kāi)區(qū)的施工現(xiàn)場(chǎng)打下第一根樁,...
Wolfspeed的CGHV40320D是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備更優(yōu)越的性能;CGHV4032...
芯干線科技出席高功率密度GaN數(shù)字電源技術(shù)交流會(huì)
芯干線與世紀(jì)電源網(wǎng)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手、傾心打造的“高功率密度 GaN 數(shù)字電源技術(shù)交流會(huì)”,于近日盛大啟幕!
解析GaN器件金剛石近結(jié)散熱技術(shù):鍵合、生長(zhǎng)、鈍化生長(zhǎng)
在追求更高功率密度和更優(yōu)性能的電子器件領(lǐng)域,GaN(氮化鎵)器件因其卓越的性能而備受矚目。然而,隨著功率密度的不斷提升,器件內(nèi)部的熱積累問(wèn)題日益嚴(yán)重,成...
p-NiO插入終端結(jié)合MOS結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高性能GaN基SBD
依托先進(jìn)的半導(dǎo)體TCAD仿真平臺(tái),天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了一種具有p-NiO插入終端結(jié)合側(cè)壁MOS場(chǎng)板的混合式肖特基勢(shì)壘二極管結(jié)構(gòu)(Hyb...
氮化鎵(GaN)是極具潛力的第三代半導(dǎo)體,廣泛應(yīng)用于功率器件、射頻器件及光電器件。然而GaN材料表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發(fā)展的關(guān)鍵限制,特別是在器...
Power Integrations收購(gòu)GaN開(kāi)發(fā)商O(píng)dyssey半導(dǎo)體資產(chǎn)
近日,知名的高壓集成電路和高效功率變換方案提供商Power Integrations(PI)宣布了一項(xiàng)重大收購(gòu)計(jì)劃。該公司將于2024年7月完成對(duì)垂直氮...
Power Integrations收購(gòu)Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議,收購(gòu)垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開(kāi)發(fā)商O(píng)dysse...
針對(duì)相控陣?yán)走_(dá)的緊湊型三芯片電源解決方案
Qorvo 新推出的芯片組優(yōu)化了相控陣系統(tǒng)中尺寸最大、成本最高的部件之一---脈沖儲(chǔ)能電容器。該解決方案采用創(chuàng)新型架構(gòu),使電容減少 90%,系統(tǒng)體積縮小...
2023-02-28 標(biāo)簽:GaN雷達(dá)系統(tǒng) 724 0
AMEYA360:羅姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN? 650V E模式GaN FET
ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。...
1.?產(chǎn)品特性(替代LMG1210) ??工作頻率高達(dá)?10MHz ??20ns 典型傳播延遲 ??5ns 高側(cè)/低側(cè)匹配 ??兩種輸入控制模式 ??具...
2024-06-20 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器半橋GaN 723 0
GaN是轉(zhuǎn)換射頻能量其在烹飪中的應(yīng)用1
在上世紀(jì)70 年代早期,磁控管首先在微波爐中進(jìn)入了廣泛的商業(yè)應(yīng)用,但整個(gè)射頻能量市場(chǎng)的發(fā)展相對(duì)還比較緩慢。如今,已經(jīng)有了各種各樣的應(yīng)用,包括在工業(yè)和消費(fèi)...
基于氮化鎵的電源芯片U8722BAS具有更低成本效益GaN是一種改變我們的生活方式,應(yīng)用前景廣泛的特新材料。氮化鎵技術(shù)正在提供更快的開(kāi)關(guān)速度、更小的尺寸...
車載操作系統(tǒng)或成行業(yè)發(fā)展關(guān)鍵 GaN成為數(shù)據(jù)服務(wù)器效率關(guān)鍵
簡(jiǎn)訊:2022世界人工智能大會(huì)(WAIC)近期在上海舉辦,AI芯片作為人工智能產(chǎn)業(yè)的底層關(guān)鍵硬件,在本次大會(huì)上眾多國(guó)產(chǎn)AI芯片公司均展出了最新的技術(shù)和產(chǎn)...
2022-09-16 標(biāo)簽:服務(wù)器操作系統(tǒng)GaN 715 0
Power Integrations榮獲兩項(xiàng)2023年電源行業(yè)配套品牌評(píng)選大獎(jiǎng)
由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第二屆年度電源行業(yè)配套品牌評(píng)選活動(dòng)已經(jīng)落下帷幕,經(jīng)過(guò)激烈的競(jìng)爭(zhēng)和嚴(yán)格的評(píng)審過(guò)程,所有獎(jiǎng)項(xiàng)的評(píng)選工作現(xiàn)已完成。
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