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GaN 如何改變了市場(chǎng)

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2023-12-06 標(biāo)簽:集成電路放大器GaN 615 0

為什么GaN用于D類放大器獨(dú)有優(yōu)勢(shì)?

來(lái)源:RF技術(shù)社區(qū)? 本文來(lái)自與非網(wǎng) 傳統(tǒng)的音頻放大技術(shù)是一個(gè)充滿挑戰(zhàn)的領(lǐng)域,發(fā)燒友們對(duì)于構(gòu)成家庭音頻最佳設(shè)置的要素有明顯不同意見(jiàn)。對(duì)于那些堅(jiān)持使用經(jīng)典...

2022-12-13 標(biāo)簽:放大器GaN 614 0

超越LED,電動(dòng)機(jī)將拯救地球

超越LED,電動(dòng)機(jī)將拯救地球

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2023-01-04 標(biāo)簽:led電動(dòng)機(jī)GaN 613 0

SiC和GaN:新一代半導(dǎo)體能否實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期可靠性?

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近年來(lái),電力電子應(yīng)用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變?cè)絹?lái)越明顯。在過(guò)去的十年中,SiC和GaN半導(dǎo)體成為了推動(dòng)電氣化和強(qiáng)大未來(lái)的重要力量。...

2024-10-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 612 0

逆變器中600V-1200V碳化硅MOSFET預(yù)備起飛

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逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來(lái)十年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為27%。

2023-07-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器 609 0

芯導(dǎo)科技GaN/SiC電源產(chǎn)品推薦

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智能時(shí)代,人們對(duì)電源的需求充溢著生活的方方面面。隨著人工智能和生成式AI的發(fā)展,小到幾十瓦的PD充電頭,大到數(shù)百瓦、上千瓦的工業(yè)電源及服務(wù)器電源,在全球...

2024-11-19 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體SiC 600 0

GaN能否安全地提供快速充電和效率

  關(guān)于氮化鎵(GaN)衍生功率器件的可行性,人們一直在進(jìn)行無(wú)休止的猜測(cè)和相當(dāng)多的懷疑,但Dialog半導(dǎo)體認(rèn)為它已經(jīng)破解了它。基于GaN的功率器件具有...

2022-10-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 600 0

GaN HEMT技術(shù)引領(lǐng)儲(chǔ)能系統(tǒng)革命,國(guó)內(nèi)企業(yè)積極布局

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隨著5G通信和電力電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)憑借其卓越的物理和化學(xué)特性,逐漸成為儲(chǔ)能系統(tǒng)和電力電子器件的重要材料。業(yè)...

2024-08-28 標(biāo)簽:晶體管GaN儲(chǔ)能系統(tǒng) 599 0

GaN是否可靠?

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2023-12-05 標(biāo)簽:電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 599 0

為電源管理鋪平道路

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氮化鎵 (GaN)是一種寬帶半導(dǎo)體材料 (WBG),與硅一樣,它可用于制造二極管和晶體管等半導(dǎo)體器件。電源設(shè)計(jì)人員會(huì)選擇 GaN 晶體管而不是硅,因?yàn)樗?..

2022-08-08 標(biāo)簽:電源管理晶體管降壓轉(zhuǎn)換器 598 0

京東方華燦與晶通半導(dǎo)體簽署合作備忘錄

隨著全球新能源汽車、人工智能、光伏及儲(chǔ)能等新興市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展,高性能功率器件的需求呈現(xiàn)出前所未有的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。在這一背景下,2025年1月8日于珠海金灣工...

2025-01-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件GaN 594 0

南芯科技榮獲功率器件GaN行業(yè)卓越獎(jiǎng)

近日,南芯科技(證券代碼:688484)重磅產(chǎn)品 POWERQUARK 憑借在氮化鎵快充領(lǐng)域的技術(shù)突破,于世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第三屆電源行業(yè)配套品牌評(píng)選中榮...

2024-12-16 標(biāo)簽:功率器件GaN南芯科技 593 0

不知道該如何選擇氮化鎵芯片?

GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件。可以顯著降低功率損耗和散熱負(fù)載,在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無(wú)線充電等領(lǐng)域,可...

2023-10-27 標(biāo)簽:芯片控制器氮化鎵 592 0

安森美成功收購(gòu)紐約州德威特GaN晶圓制造廠,助力技術(shù)布局!

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近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美(onsemi)宣布,以2000萬(wàn)美元的價(jià)格成功收購(gòu)位于美國(guó)紐約州德威特的原NexGenPowerSystem...

2025-01-08 標(biāo)簽:安森美GaN晶圓制造 590 0

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應(yīng)用在低功耗SMPS中的GaN/氮化鎵

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2022-10-28 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源smpsGaN 584 0

微美全息(NASDAQ:WIMI)突破技術(shù)壁壘,并行GANs圖像修復(fù)網(wǎng)絡(luò)助力高效恢復(fù)

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近年來(lái),隨著互聯(lián)網(wǎng)和數(shù)字媒體的迅猛發(fā)展,圖像修復(fù)技術(shù)逐漸成為一個(gè)備受關(guān)注的熱門(mén)領(lǐng)域。然而,傳統(tǒng)的圖像修復(fù)方法通常需要大量的人工干預(yù),并且在復(fù)雜場(chǎng)景下表現(xiàn)...

2023-08-14 標(biāo)簽:互聯(lián)網(wǎng)解碼GaN 582 0

利用GAN技術(shù)扶持5G

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利用GAN技術(shù)扶持5G5G:確定成功表

2023-09-27 標(biāo)簽:GaN毫米波5G 582 0

PC1067集成GaN高頻準(zhǔn)諧振AC-DC適配器

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概述 PC1067 是一款集成?GaN 功率器件的高頻準(zhǔn)諧振反激控制器,適合設(shè)計(jì)在離線式?USB-PD和USB Type-C?等快速充電器和電源供應(yīng)器方...

2024-07-02 標(biāo)簽:適配器AC-DCGaN 581 0

Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

該器件已準(zhǔn)備就緒:為T(mén)ransphorm的創(chuàng)新常關(guān)型氮化鎵平臺(tái)應(yīng)用于新一代汽車和三相電力系統(tǒng) ? 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、...

2023-06-02 標(biāo)簽:GaN 579 0

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