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GaN晶體管的優點是什么?ST量產氮化鎵器件PowerGaN 即將推出車規器件
如今,開發電子電力器件的難度不斷飆升,如何在滿足綠色低碳和和持續發展的要求下既不斷提升效率和功率性能,同時又不斷降低成本和縮減尺寸呢? 我們發現,氮化鎵...
應用指南導讀 | 優化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局
作為寬禁帶半導體,氮化鎵(GaN)以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現代功率電子領域的新寵。然而,GaN器件的高速開關行為也對PCB布局設計提出了...
EcoGaN?被臺達電子Innergie品牌的45W輸出AC適配器“C4 Duo”采用!
全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)的650V GaN器件(EcoGaN?),被臺 達電子(Delta Electron...
作為國家虛擬現實創新中心入局者,晶能光電利用自主創新的硅襯底GaN基LED技術,承擔硅襯底Micro LED的關鍵共性技術開發。
Ian Goodfellow【網易智能訊 4月5日消息】據CNBC報道,谷歌人工智能(AI)領域的頂尖人物之
Custom?MMIC的QPA4346D是款高功率MMIC放大器,選用Qorvo制造的0.15um?GaN?on?SiC工藝技術(QGaN15)。QPA...
“GaN 為何這么火?”如果再有人這么問你。 最簡單的回答:“因為我們離不開電源,并且我們不斷追求更好的電源系統!” 今天,基于 GaN 器件的快充已在...
2020-10-29 標簽:GaN 502 0
全球知名半導體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070T...
NexGen垂直GaN半導體 預計2023年第三季度全面生產
該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發布的700V 和 1200V樣品。
來源:德州儀器 氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應用中 作為提供不間斷連接的關鍵,許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高...
此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元(約合人民幣24.27億元)。此次收購將為瑞薩提供GaN(功率半導體的下一代關鍵材料)的內部技術。
2024-01-19 標簽:瑞薩GaNTransphorm 477 0
羅姆EcoGaN產品GaN HEMT被村田AI服務器電源采用
全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產品GaN HEMT,被先進的日本電子元器...
氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
UMS的CHA8312-99F是款8-12GHz頻率段的二級GaN大功率放大器。CHA8312-99F一般提供與50%的功率額外效率相關聯的17W輸出功...
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