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Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規氮化鎵功率模塊達成合作
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日宣布與國際著名的為汽車行業提供先進電子器件的供應商 KYOCERA AVX Comp...
MP1918數據手冊#100V、高頻、半橋 GaN/MOSFET 驅動器
MP1918 是一款 100V 半橋驅動器,用于在半橋或同步應用中驅動具有低柵極閾值電壓的增強型氮化鎵 (GaN) FET 或 N 通道 MOSFET。...
近年,IQE開始涉足Micro LED領域,IQE擁有豐富的MOCVD外延生長技術儲備及規?;a的能力,可滿足制備微米級高亮Micro LED的需求。
早在2019年,做為3C配件市場發展風向標的香港電子展,我們就已經察覺到氮化鎵快充發展的迅猛勢頭:2019年4月份春節展,8款氮化鎵充電器新品參展;而到...
來源:羅姆半導體社區? 目前, 人工智能 ( AI )領域正在快速發展,每隔一段時間就取得新的突破。最近突出的一個詞是Generative Advers...
2022-11-15 標簽:GaN 658 0
2024廣州國際新能源汽車功率半導體技術展覽會5月與您相約廣州保利世貿博覽
AUTO TECH 2024 廣州國際新能源汽車功率半導體技術展覽會,將于2024年5月15日-17日在廣州保利世貿博覽館盛大召開
GaN材料是第三代半導體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大...
TI DRV7308具有保護和電流檢測功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM)技術文檔
DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM),其中包含 205mΩ、650V 增強型氮化鎵 (GaN),用于驅動高達 450V 直流電源軌的三相 ...
ST 發布了市場首個也是唯一的單封裝集成 600 V 柵極驅動器和兩個加強版氮化鎵(GaN)晶體管的 MASTERGAN1。同類競品只提供一顆 GaN ...
氮化鎵的應用已經從消費電子的快充向工業級功率領域滲透,這給了國內廠商非常大的市場機會。在2025CITE電子展上,鎵創晶合董事長助理趙陽接受媒體采訪,分...
2025-04-16 標簽:GaN 645 1
ROHM開發出可更大程度激發GaN器件性能的超高速柵極驅動器IC
~采用業界先進的納秒量級柵極驅動技術,助力LiDAR和數據中心等應用的小型化和進一步節能~ 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出一款...
Mini-Circuits收購ADI CATV放大器業務,擴充產品線并提升行業地位
據官方公告,此次交易包含Analog Devices的75歐姆GaAs與GaN金屬化合物放大器產品系列及其關聯生產與測試設備。此外,原產品研發團隊將全數...
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產品組合新增12款新器件。本次產品發布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統日益增長的需求。這些新型低壓...
納微半導體下一代GaNFast技術,10分鐘內實現100%充電
獲TüV萊茵安全認證,這款realme GT3標配的雙口SUPERVOOC的快速充電器基于兩顆納微NV6138氮化鎵功率芯片打造而來,分別用于CRM P...
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