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近日,博瑞集信宣布推出三款基于GaN(氮化鎵)工藝的內匹配功率放大器,這三款產品均采用緊湊的小尺寸金屬封裝(尺寸為18mm8.7mm2.34mm),以滿...
配售事項所得款項凈額,經扣除專業費用及其他相關開支后,約為8,620萬港元。集團擬將約6,430萬港元用于加強LED、MiniLED、快速電池充電、氮化...
Micro LED憑借具備更高的發光效率、更長的壽命、更高的像素密度以及更強的畫質擬真度被業界認為是視覺時代下的最優解,Mini LED作為其過渡階段,...
為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計,意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP...
MTC-PD65W1C-CTA1快充電源-使用MTC-650V Cascode D-GaN
GaN/氮化鎵作為第三代半導體材料經常被用在PD快充里面;氮化鎵(GaN)擁有極高的穩定性,將GaN用于充電器的整流管后,能降低開關損耗和驅動損耗,提升...
譽鴻錦半導體媒體開放日,現場見證Super IDM產業效率革命
譽鴻錦半導體在10月27日舉辦“媒體開放日”活動,就兩周前行業發布會上提出的”Super IDM“做了現場產線展示和上下游產業鏈企業詳解。多家半導體行業...
CGD 官宣突破100kW以上技術,推動GaN挺進超100億美元的電動汽車逆變器市場
ICeGaN HEMT 和 IGBT 的并聯組合降低 了 成本 、 實現高效率 ? 2025 年 3 月 11 日 英國劍橋 -無晶圓廠環保科技半導體公...
2025-03-11 標簽:GaN 538 0
VLMU35CR40-275-120和VLMU35CR41-275-120基于AlGaN技術,專門用來取代低壓UVC水銀燈,特別適合器件小型化緊湊設計。
來源:Semiconductor Today 澳大利亞Silverwater的BluGlass Ltd基于其專有的低溫、低氫遠程等離子體化學氣相沉積(R...
Wolfspeed的CGH60030D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備更優越產品性能;包括更高擊穿場強...
? ? 近日,國家發改委、科技部、財政部、海關總署、稅務總局五部委聯合發文,公布第29批新認定及全部國家企業技術中心名單,晶能光電被認定為國家企業技術中...
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