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電子發燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關,即GaN BDS(Bidirectional Switch,雙向開關)。這是一種較為新型的...
2025-04-20 標簽:GaN 361 0
譽鴻錦半導體GaN器件品牌發布會,攜全產業鏈Super IDM模式實現產業效率革命
10月13日,譽鴻錦半導體在深圳國際會展中心(寶安新館) 正式舉辦氮化鎵(GaN)器件品牌發布會,暨譽鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發布會活動...
2023-10-13 標簽:GaN 354 0
UMS?CHA6282-QCB是款工作在17.3-21.5GHz頻率段三級GaN大功率放大器。CHA6282-QCB一般提供28%的功率額外效率相關聯的...
近日,有權威人士透露,我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業寫入正在制定中的“十四五”規劃,以期在 2021-2025 年期間實現產業獨立自主。第三代半...
2020-10-30 標簽:GaN 324 0
Wolfspeed的CGHV60040D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優異的性能參數。包括相對較高的...
當下,低碳化和數字化齊頭并進的發展,帶來了萬物互聯、能源效率、未來出行等多重變革。而在這個突飛猛進的過程中,第三代半導體則發揮著重要作用。
英飛凌CoolGaN功率晶體管賦能SounDigital放大器,更小尺寸、更高保真
【2025年3月3日, 德國慕尼黑訊】 由于市場對于音頻設備的緊湊、輕便、高集成度和節能的需求越來越高,領先的音頻設備制造商在不斷提高音質的同時,也在努...
意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器,為開發者帶來更高的設計靈活性和更多的功能,提高目標應用的能效和魯棒性。
AMEYA360代理:羅姆650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT *1 “GNP2070TD-...
2025 年3月19日 - 英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(香港聯交所代碼:2577)是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)芯片...
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵(GaN)功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統...
此前,4月16日下午,春意融融,陽光灑滿大地,2025(春季)芯導科技產品推介會暨合作伙伴大會在芯導科技上海總部圓滿舉行。此次大會匯聚了近百位行業專家與...
GaN充電器高頻化之路:分立器件如何破解電磁干擾與協同難題?
本文針對 GaN 器件高頻化挑戰,合科泰分析寄生電感振蕩與驅動信號失真問題,提出通過器件選型、PCB 布局及電路優化等方案,提升高頻應用性能與可靠性。
在GaN功率器件場景化爆發的關鍵窗口期,京東方華燦以消費類GaN功率器件通過1000H可靠性為起點,正式開啟“消費級普及、工業級深化、車規級突破”的三級...
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