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氮化鎵(GaN)是直接寬帶隙半導體材料,屬于第3代半導體。相較于硅、砷化鎵等,GaN的禁帶寬度更大、擊穿電場強度更高,具有更高的電子飽和度和漂移速率、更...
納微半導體攜尖端GaN/SiC功率產品亮相PCIM 2023
作為歐洲領先的“電力轉換與智能運動”領域專業盛會,PCIM 2023將于5月9日至11日在德國紐倫堡盛大召開,會上將展開超400篇國際技術論文的學術交流...
Wolfspeed的CGHV40100是前所未有的;氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGHV40100;選用50伏電流電壓軌工作;提供一...
隨著電子技術的快速發展,半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅(Si)半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導體材料應運...
CGD與中國臺灣綠能與環境研究所簽署GaN電源開發諒解備忘錄
為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機應用開發功率密度超過30 W/ in3? 的140-240 W USB-PD適配器 (2024年5月30日,英國劍...
來源:羅姆半導體社區? 制造工藝、材料和包裝技術的進步,加上新的應用領域的出現,正在為寬帶隙器件創造各種各樣的復蘇。 電子制造業正以高于美國GDP的穩定...
ST 65W GaN變換器VIPerGaN65D 低成本節省空間的電源方案
VIPerGaN65D 目標應用鎖定快充、適配器和家電電源 意法半導體的VIPerGaN65D反激式轉換器采用SOIC16封裝,可以用于設計體積較小的高...
與等效硅基解決方案相比,氮化鎵基HEMT的開關更快、熱導率更高和導通電阻更低,因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路,可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源...
此前,2025年3月16日-3月20日,國際電力電子應用展覽會(APEC)在美國佐治亞州亞特蘭大會議中心隆重舉行。作為為數不多的中國功率器件廠商,芯干線...
Nexperia(安世半導體)融合其近20年來在高質量、高穩健性SMD封裝方面的豐富生產經驗,推出全新CCPAK GaN FET產品組合?;诖司媒浛简?..
UMS?CHA7062-QCB是款兩級單片GaN功率放大器,在13-20GHz工作頻段內展現5W飽和狀態輸出功率。 CHA7062-QCB具備17%的功...
近日,全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)宣布,將于2025年5月6日至8日參加在德國紐倫堡舉辦的PCIM(PCIM Expo &...
德州儀器、英飛凌、Microchip、Wolfspeed、安森美等廠商擴產的另一大重點,則是模擬芯片。
分立晶體管是電子設計中最常見的元器件之一。該產品適用于眾多應用,從簡單的小信號晶體管到大型高功率器件,以及高頻/高功率器件。
近日,在深圳舉辦的行家說第三代半導體年會——碳化硅&氮化鎵產業高峰論壇上,聞泰科技半導體業務憑借其卓越的創新產品“針對工業和可再生能源應用的CCPAK封...
電子發燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關,即GaN BDS(Bidirectional Switch,雙向開關)。這是一種較為新型的...
2025-04-20 標簽:GaN 361 0
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