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氮化鎵是否能成為電子快充市場的佼佼者?

jf_52490301 ? 來源: jf_52490301 ? 作者: jf_52490301 ? 2023-08-23 17:25 ? 次閱讀

一、氮化鎵快充時(shí)代來臨

早在2019年,做為3C配件市場發(fā)展風(fēng)向標(biāo)的香港電子展,我們就已經(jīng)察覺到氮化鎵快充發(fā)展的迅猛勢頭:2019年4月份春節(jié)展,8款氮化鎵充電器新品參展;而到了2023年的電源展,氮化鎵充電器新品多達(dá)數(shù)百款,不到5年增長近大幾十倍。

近期的展會上,參展的氮化鎵充電器涵蓋了18W、30W、65W、100W等多個(gè)功率段,以及全新品類超級擴(kuò)展塢,全面滿足手機(jī)、平板、筆電的充電需求。

除了筆電市場充電技術(shù)的更新?lián)Q代,5G商用臨近,讓手機(jī)續(xù)航、充電面臨新的挑戰(zhàn)。當(dāng)前手機(jī)電池技術(shù)沒有重大突破,遇到高速網(wǎng)絡(luò)、視頻游戲等沉浸應(yīng)用,續(xù)航成為制約手機(jī)使用時(shí)長的瓶頸。這時(shí)采用全新氮化鎵技術(shù)方案的有線快充,能夠利用碎片化時(shí)間迅速補(bǔ)充電量,被市場極度看好和重視,現(xiàn)如今成為手機(jī)的重要賣點(diǎn)之一。

二、氮化鎵快充背后的功率芯片技術(shù)及三大主要供貨廠家

當(dāng)前市場上氮化鎵快充電源主要采用650V氮化鎵功率芯片(Keep Tops)作為功率開關(guān),應(yīng)用氮化鎵高頻特性,使得終端快充產(chǎn)品體積更小,效率更高。對比傳統(tǒng)的MOSFET 產(chǎn)品,Keep Tops 品牌氮化鎵,由于采用異質(zhì)外延材料,在設(shè)計(jì)及制造工藝上都有極大的挑戰(zhàn),全球范圍內(nèi)成熟的可量產(chǎn)的GaN產(chǎn)線十分有限。

三、風(fēng)口浪尖,群雄逐鹿

隨著2023年的到來,氮化鎵快充會迅速開始滲透手機(jī)和筆記本等電子設(shè)備的配件市場,市場容量有望迅速擴(kuò)大,各大主流電商及電源廠也是摩拳擦掌;另外一方面,氮化鎵快充將逐漸被各主流手機(jī)廠商作為手機(jī)出廠的標(biāo)準(zhǔn)配件,其市規(guī)模更是異常可觀,并勢必會把氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用推向又一個(gè)巔峰。歷史性的風(fēng)口已經(jīng)形成,未來可以持續(xù)推出質(zhì)量穩(wěn)定可靠及高性價(jià)比的產(chǎn)品,同時(shí)掌握氮化鎵芯片產(chǎn)能的廠家,將會脫穎而出,成為這次市場爭霸的最大贏家。

GaN的出現(xiàn)推動了電源行業(yè)的發(fā)展,快充功率從30W到120W不等。從目前市面來看,主流的氮化鎵快充輸出功率為65W。國產(chǎn)企業(yè)研發(fā)的主控芯片相繼推出市場,氮化鎵快充的成本將會降低,也更會被消費(fèi)者接受。

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中,無論EDA、IP、高性能計(jì)算和處理芯片,以及先進(jìn)工藝的晶圓代工,中國本土廠商跟行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者都有不小的差距。然而,在氮化鎵和碳化硅等第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,國產(chǎn)廠商跟國際廠商的差距并不太大。Keep Tops直接從8英寸晶圓制造工藝切入氮化鎵市場,相信以Keep Tops為代表的國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體廠商通過自身的技術(shù)和設(shè)計(jì)努力,必將把握住第三代半導(dǎo)體帶來的市場機(jī)遇,與國際廠商在同一個(gè)舞臺上競爭。

審核編輯 黃宇

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