近年來，電力電子應(yīng)用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變越來越明顯。在過去的十年中，SiC和GaN半導(dǎo)體成為了推動電氣化和強大未來的重要力量。得益于其固有特性，寬禁帶半導(dǎo)體正在逐漸取代許多電力應(yīng)用中的傳統(tǒng)硅基設(shè)備。硅的時代已經(jīng)過去，其應(yīng)用的可靠性一直很高。如今，有必要驗證這兩種新型半導(dǎo)體在長期使用中是否能夠提供相同的安全前景，以及它們在未來是否會成為設(shè)計師可信賴的選擇。

如今，應(yīng)用的需求日益增長，要求能夠管理更高電壓、頻率和溫度的能源和電力，同時保持效率和可靠性。新材料碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)作為寬帶隙半導(dǎo)體，展現(xiàn)出廣闊的前景，并在電力電子應(yīng)用中相較于傳統(tǒng)硅材料提供了顯著的優(yōu)勢。然而，盡管目前新材料的應(yīng)用越來越廣泛，其長期可靠性仍然是大規(guī)模采用的持續(xù)研究主題。隨著這項技術(shù)逐漸成熟，關(guān)于其長期可靠性的疑慮也自然隨之而來。

寬帶隙半導(dǎo)體在極端電力應(yīng)用中的使用必須伴隨對設(shè)備可靠性的仔細(xì)評估和分析。毫無疑問，新的SiC和GaN設(shè)備相比于硅具有更優(yōu)越的特性，包括更高的Vds電壓、更低的Rds(ON)電阻以及更高的開關(guān)速度。這些特性使得可以構(gòu)建具有更高功率密度、降低損耗和更好整體效率的系統(tǒng)和電路。然而，SiC和GaN獨特的屬性也帶來了新的可靠性挑戰(zhàn)。

設(shè)計師和企業(yè)必須更加關(guān)注的一個主要參數(shù)是設(shè)備的長期穩(wěn)定性，尤其是在高電壓和高溫操作條件下。高電場和熱應(yīng)力可能導(dǎo)致柵氧化層的降解、通道遷移率的降低以及與封裝本身相關(guān)的故障。這種情況尤其發(fā)生在MOS設(shè)備的柵極受到熱和電的壓力時。此外，材料中新缺陷的形成也可能對這些設(shè)備的可靠性產(chǎn)生負(fù)面影響。

然而，與研究并行，針對進(jìn)一步提升SiC和GaN設(shè)備可靠性的研究也在進(jìn)行中，通過改善材料質(zhì)量、設(shè)備設(shè)計和封裝技術(shù)，以增強它們的韌性和使用壽命。企業(yè)和制造商在實驗室和實際操作環(huán)境中執(zhí)行加速老化程序和極端條件下的測試，以評估長期性能并識別潛在的故障模式。加速測試可以在確定加速應(yīng)力壽命后，用于預(yù)測在正常最終使用條件下產(chǎn)品的使用壽命。這些評估在電力設(shè)備的測試中起著至關(guān)重要的作用，使操作員能夠評估和分類滿足溫度和電氣應(yīng)力要求的產(chǎn)品。

圖1

測試主要關(guān)注設(shè)備的工作溫度極限和在DS通道中多次重復(fù)施加的強電流的監(jiān)督。這些測試實施連續(xù)和交替的電氣和熱測試，并能生成詳細(xì)的最終報告。我們知道，電子元件的最大敵人就是高溫。圖1顯示了SiC MOSFET的電流和功率的典型趨勢，工作溫度在-60°C到+200°C之間變化(在給定負(fù)載和供電電壓的電路仿真中)。雖然電流幾乎保持不變并在溫度升高時略有下降，但功率耗散在整個范圍內(nèi)卻出現(xiàn)了劇烈的增加(甚至超過5倍)。這意味著在長期內(nèi)會出現(xiàn)各種問題，縮短設(shè)備的使用壽命。

SiC和GaN組件的可靠性

SiC和GaN屬于一種新型現(xiàn)代技術(shù)，盡管它們在許多電力應(yīng)用中已經(jīng)被廣泛使用，但仍然未完全成熟。隨著它們的使用呈指數(shù)級增長，材料可靠性的概念正受到越來越多的關(guān)注，尤其是在安全領(lǐng)域，涉及的行業(yè)眾多，汽車行業(yè)首當(dāng)其沖。SiC設(shè)備的主要問題之一與柵氧化層相關(guān)，該層不斷變薄，可能導(dǎo)致降解(見圖2)。

這種缺陷可能直接導(dǎo)致設(shè)備的嚴(yán)重故障。在SiC MOSFET設(shè)備開始商業(yè)化時，它們的可靠性水平遠(yuǎn)低于硅的同類產(chǎn)品，但這一差距正在逐漸縮小。總體而言，涉及的故障過程略有不同，因為SiC是垂直PN結(jié)設(shè)備，而GaN是橫向HEMT設(shè)備。在電力和高電壓應(yīng)用中，MOSFET的穩(wěn)健性極為重要。

MOSFET或二極管在用于任何最終解決方案之前，必須經(jīng)過多種測試。半導(dǎo)體產(chǎn)品可靠性測試的目的是確保設(shè)備的長壽命。許多應(yīng)用要求中或長時間的使用壽命和低故障率。一些測試可能需要相當(dāng)長的時間來完成，而通常這種要求并不完全可行。因此，許多測試通常會對組件進(jìn)行壓力測試，通過故意加速一些參數(shù)(如電壓、電流、溫度和濕度)來縮短時間。

SiC MOSFET的可靠性主要受到熱應(yīng)力的影響，而熱應(yīng)力又依賴于操作條件。由于這些溫度變化，模塊內(nèi)部的材料會發(fā)生降解。典型的熱故障發(fā)生在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間，尤其是在絕緣基板和基板之間的接觸點。制造商在設(shè)備的開發(fā)過程和生命周期早期階段進(jìn)行電子元件的可靠性研究和評估。只有這樣，才能確保基于SiC和GaN的組件安全可靠地運行。

設(shè)備應(yīng)力測試涉及在類似真實世界的操作條件下并聯(lián)測試數(shù)千個設(shè)備。這些測試持續(xù)超過四個月，使操作員能夠獲得足夠的故障數(shù)據(jù)，以便描繪出相對可靠的統(tǒng)計數(shù)據(jù)。一些方法可以通過柵電壓應(yīng)力測試估算MOS設(shè)備的柵氧化層穩(wěn)定性。對于一組樣本，按照制造商規(guī)定的最大結(jié)溫進(jìn)行操作測試。在測試期間，柵電壓從制造商推薦的電壓逐漸增加。在每個時間間隔結(jié)束后，計算失敗設(shè)備的數(shù)量并將其從測試電路中剔除。測試持續(xù)到所有設(shè)備失效，此時可以使用特定的數(shù)學(xué)模型可視化故障分布。

許多制造商為SiC-MOSFETs制造極高可靠性的柵氧化層薄膜，可靠性與Si-MOSFETs相當(dāng)，而后者現(xiàn)在是一個極其成熟的領(lǐng)域，其結(jié)果與前者相當(dāng)。許多測試是在操作條件極限下進(jìn)行的，確認(rèn)了數(shù)千小時的無故障操作。某些故障涉及體二極管導(dǎo)通的降解，這會導(dǎo)致電流路徑發(fā)生變化，并引起Rds(ON)和二極管Vf參數(shù)的增加。與硅MOSFET相比，SiC-MOSFET的芯片面積更小、電流強度更高。因此，它們的短路承受能力也較低。

平均而言，這些設(shè)備的短路耐受時間在幾十微秒的量級。這一時限還取決于電壓Vgs和Vdd。在高海拔和太空應(yīng)用中，宇宙射線可能會引發(fā)擔(dān)憂。相關(guān)的輻射測試表明，大多數(shù)模型非常耐用。此外，考慮到SiC芯片的體積小于硅，因靜電放電(ESD)導(dǎo)致的故障概率較高。因此，有必要采取適當(dāng)?shù)撵o電防護(hù)措施，通過離子發(fā)生器和接地手環(huán)消除人體和工作環(huán)境中的靜電。

結(jié)論

汽車行業(yè)以其嚴(yán)格的可靠性要求推動了SiC和GaN設(shè)備的創(chuàng)新。由于其在效率、尺寸和重量方面的優(yōu)勢，這些半導(dǎo)體在電動車輛中的應(yīng)用迅速增長，但其長期可靠性的證明是確保車輛安全和耐用性的關(guān)鍵因素。像汽車這樣的高要求市場對可靠性標(biāo)準(zhǔn)提出了非常高的要求，故障率達(dá)到十億分之一(PPB)級別。盡管得益于技術(shù)進(jìn)步，SiC和GaN設(shè)備的可靠性不再受到質(zhì)疑，但這仍然是一個活躍且不斷發(fā)展的研究領(lǐng)域。

確保這些設(shè)備滿足真實應(yīng)用的嚴(yán)格可靠性要求的努力正在為電力電子技術(shù)的革命鋪平道路。隨著持續(xù)的發(fā)展和廣泛的采用，SiC和GaN有望塑造一個更加電氣化和可持續(xù)的未來，鞏固其作為能源轉(zhuǎn)型關(guān)鍵技術(shù)的地位。

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