原創(chuàng)：CASA 第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟

2024年11月19日，在第十屆國際第三代半導體論壇（IFWS）開幕式上，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）（以下簡稱“聯(lián)盟”）正式發(fā)布9項 SiC MOSFET測試與可靠性標準。這一系列標準的發(fā)布，旨在為SiC MOSFET功率器件提供一套科學、合理的測試與評估方法，支撐產(chǎn)品性能提升，推動產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

李晉閩中國科學院半導體研究所原所長、研究員，中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長，半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室主任

邱宇峰第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長

徐現(xiàn)剛山東大學教授

張清純清純半導體（寧波）有限公司董事長

饒進華為海思功率器件開發(fā)部部長

李鉀東風汽車集團有限公司研發(fā)總院副總工程師

陳媛工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員

萬玉喜深圳平湖實驗室主任

共同見證9項SiC MOSFET測試與可靠性標準的發(fā)布。

在產(chǎn)業(yè)各界的關(guān)注和支持下，2021年起，為促進產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟持續(xù)、啟動布局了SiC MOSFET功率器件閾值電壓測試方法、開關(guān)動態(tài)測試方法、柵極電荷測試方法、高溫柵偏試驗方法、高溫反偏試驗方法、高壓高溫高濕反偏試驗方法、動態(tài)柵偏試驗方法、動態(tài)反偏試驗方法、動態(tài)高溫高濕反偏試驗方法的標準制定工作。希望能夠為產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新尋求相對統(tǒng)一的產(chǎn)品評價方法，樹立應用市場信心，支撐新興市場開拓。

所有聯(lián)盟正式發(fā)布的標準文本，訪問聯(lián)盟官方網(wǎng)站
http://www.casa-china.cn/a/casas/upload/免費下載。

T/CASAS 021—2024

SiC MOSFET閾值電壓測試方法

本文件主要起草單位：中國電子科技集團第五十五研究所、南京第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司、揚州國揚電子有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、東南大學、杭州芯邁半導體技術(shù)有限公司、廣電計量檢測集團股份有限公司、浙江大學、浙江大學紹興研究院、湖北九峰山實驗室、是德科技（中國）有限公司、博測銳創(chuàng)半導體科技（蘇州）有限公司、北京勵芯泰思特測試技術(shù)有限公司、山東大學、泰科天潤半導體科技（北京）有限公司、西安交通大學、朝陽微電子科技股份有限公司、山東閱芯電子科技有限公司、江蘇第三代半導體研究院有限公司、芯合半導體（合肥）有限公司、廣東能芯半導體科技有限公司、北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：劉奧、張國斌、柏松、黃潤華、楊勇、桂明洋、遲雷、陳媛、徐申、孫欽華、李汝冠、郭清、林氦、王丹丹、孫承志、陳彥銳、何黎、崔瀠心、胡惠娜、王來利、裴云慶、韓冰冰、佘超群、劉宗亮、趙高鋒、趙海明、姜南、高偉。

T/CASAS 033—2024

SiC MOSFET功率器件開關(guān)動態(tài)測試方法

本文件主要起草單位：重慶大學、華潤潤安科技有限公司、北京華峰測控技術(shù)股份有限公司、杭州飛仕得科技有限公司、杭州芯邁半導體技術(shù)有限公司、是德科技（中國）有限公司、忱芯科技（上海）有限公司、深圳麥科信科技有限公司、浙江大學、國網(wǎng)江蘇省電力有限公司經(jīng)濟技術(shù)研究院、合肥工業(yè)大學、中國工程物理研究院電子工程所、蘇州匯川聯(lián)合動力系統(tǒng)股份有限公司、泰克科技（中國）有限公司、山東閱芯電子科技有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、湖北九峰山實驗室、中國電力科學研究院有限公司、株洲中車時代半導體有限公司、東風汽車集團有限公司、智新半導體有限公司、西安交通大學、深圳平湖實驗室、上海瞻芯電子科技股份有限公司、深圳市新凱來技術(shù)有限公司、中國第一汽車集團有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測中心、北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：曾正、潘效飛、牛富麗、孫鵬、袁琰、劉偉、孫欽華、孫承志、毛賽君、張興杰、吳新科、孫文濤、趙爽、李俊燾、張?zhí)O川、佘超群、陳媛、王丹丹、楊霏、張雷、常桂欽、李鉀、王民、王來利、陳剛、王曉萍、黃海濤、杜凱、林曉晨、唐浩銘、李本亮、高偉。

T/CASAS 037—2024

SiC MOSFET柵極電荷測試方法本文件主要起草單位：東南大學、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、北京華峰測控技術(shù)股份有限公司、清純半導體（寧波）有限公司、浙江大學、西安交通大學、智新半導體有限公司、蘇州匯川聯(lián)合動力系統(tǒng)股份有限公司、是德科技（中國）有限公司、芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司、中國第一汽車集團有限公司、杭州芯邁半導體技術(shù)有限公司、中國電力科學研究院有限公司、東風汽車集團有限公司、湖北九峰山實驗室、深圳平湖實驗室、江蘇第三代半導體研究院有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測中心、北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：魏家行、曹鈞厚、劉斯揚、孫偉鋒、陳媛、毛賽君、劉惠鵬、孫博韜、王珩宇、王來利、王民、張?zhí)O承志、叢茂杰、宋鑫宇、宋瑞超、孫欽華、劉海軍、張雷、李鉀、麥志洪、王曉萍、周紫薇、李夢亞、李本亮、高偉。

T/CASAS 042—2024

SiC MOSFET 高溫柵偏試驗方法

本文件主要起草單位：忱芯科技(上海)公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、復旦大學、杭州芯邁半導體技術(shù)有限公司、浙江大學、廣電計量檢測集團股份有限公司、深圳市禾望電氣股份有限公司、中國第一汽車集團有限公司、清純半導體（寧波）有限公司、東風汽車集團有限公司、懷柔實驗室、湖北九峰山實驗室、深圳平湖實驗室、安徽長飛先進半導體股份有限公司、浙江大學紹興研究院、西安交通大學、中國電力科學研究院有限公司、江蘇第三代半導體研究院有限公司、上海維安電子股份有限公司、上海瞻芯電子科技股份有限公司、深圳市大能創(chuàng)智半導體有限公司、東莞南方半導體科技有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測中心、北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：毛賽君、楊書豪、陳媛、羅濤、陸月明、王珩宇、李汝冠、謝峰、林翰東、李雙媛、孫博韜、李鉀、王民、陳中圓、王丹丹、周紫薇、劉紅超、郭清、林氦、楊奉濤、張雷、唐虎、劉鵬飛、仲雪倩、謝斌、喬良、李本亮、高偉。

T/CASAS 043—2024

SiC MOSFET 高溫反偏試驗方法

本文件主要起草單位：忱芯科技(上海)公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、復旦大學、杭州芯邁半導體技術(shù)有限公司、浙江大學、廣電計量檢測集團股份有限公司、深圳市禾望電氣股份有限公司、中國第一汽車集團有限公司、東風汽車集團有限公司、清純半導體（寧波）有限公司、懷柔實驗室、湖北九峰山實驗室、深圳平湖實驗室、安徽長飛先進半導體股份有限公司、浙江大學紹興研究院、西安交通大學、中國電力科學研究院有限公司、江蘇第三代半導體研究院有限公司、上海維安電子股份有限公司、上海瞻芯電子科技股份有限公司、深圳市大能創(chuàng)智半導體有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測中心、北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：毛賽君、楊書豪、陳媛、項載滿、陸月明、王珩宇、李汝冠、謝峰、解錕、任志恒、李鉀、王民、孫博韜、陳中圓、王丹丹、周紫薇、劉紅超、郭清、林氦、張彤宇、張雷、王陽、唐虎、劉鵬飛、仲雪倩、謝斌、李本亮、徐瑞鵬。

T/CASAS 044—2024

SiC MOSFET 高壓高溫高濕反偏試驗方法

本文件主要起草單位：忱芯科技(上海)公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、復旦大學、杭州芯邁半導體技術(shù)有限公司、浙江大學、廣電計量檢測集團股份有限公司、深圳市禾望電氣股份有限公司、中國第一汽車集團有限公司、東風汽車集團有限公司、清純半導體（寧波）有限公司、懷柔實驗室、湖北九峰山實驗室、深圳平湖實驗室、安徽長飛先進半導體股份有限公司、浙江大學紹興研究院、西安交通大學、中國電力科學研究院有限公司、江蘇第三代半導體研究院有限公司、上海維安電子股份有限公司、上海瞻芯電子科技股份有限公司、深圳市大能創(chuàng)智半導體有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測中心、北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：毛賽君、楊書豪、陳媛、侯欣藍、羅潤鼎、陸月明、王珩宇、李汝冠、謝峰、陳志玉、孫相超、李鉀、王民、孫博韜、陳中圓、王丹丹、周紫薇、劉紅超、郭清、林氦、王來利、張雷、王陽、劉鵬飛、仲雪倩、謝斌、李本亮、高偉。

T/CASAS 045—2024

SiC MOSFET 動態(tài)柵偏試驗方法

本文件主要起草單位：清純半導體（寧波）有限公司、復旦大學寧波研究院、復旦大學、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、東風汽車集團有限公司、杭州三海電子科技股份有限公司、中國科學院微電子研究所、深圳禾望電氣股份有限公司、中國第一汽車集團有限公司、北京華峰測控技術(shù)股份有限公司、寧波達新半導體有限公司、智新半導體有限公司、常州銀河世紀微電子股份有限公司、上海維安電子股份有限公司、東莞南方半導體科技有限公司、中國電力科學研究院有限公司、湖北九峰山實驗室、深圳平湖實驗室、西安交通大學、江蘇第三代半導體研究院有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測中心、北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：孫博韜、樊嘉杰、侯欣藍、羅潤鼎、史文華、雷光寅、陳媛、左元慧、張俊然、李鉀、馮海科、湯益丹、謝峰、崔丁元、于亮、劉惠鵬、袁琰、王民、張海濤、莊建軍、張園覽、劉鵬飛、喬良、王丹丹、萬玉喜、陳剛、王來利、楊奉濤、劉宗亮、李本亮、徐瑞鵬。

T/CASAS 046—2024

SiC MOSFET動態(tài)反偏(DRB)試驗方法

本文件主要起草單位：工業(yè)和信息化部電子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、中國科學院電工研究所、比亞迪半導體股份有限公司、清純半導體(寧波)有限公司、復旦大學寧波研究院、東風汽車集團有限公司、湖北九峰山實驗室、深圳市禾望電氣股份有限公司、杭州芯邁半導體技術(shù)有限公司、中國電力科學研究院有限公司、中國第一汽車集團有限公司、廣電計量檢測集團股份有限公司、西安交通大學、深圳平湖實驗室、江蘇第三代半導體研究院有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測中心、北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：陳媛、何亮、施宜軍、毛賽君、陳興歡、趙鵬、王宏躍、蔡宗棋、張瑾、吳海平、孫博韜、丁琪超、左元慧、張俊然、李鉀、王民、王丹丹、謝峰、閔晨、楊霏、劉昌、朱占山、張詩夢、李汝冠、王來利、張彤宇、王鐵羊、劉陸川、胡浩林、李煒鴻、趙高鋒、李本亮、高偉。

T/CASAS 047—2024

SiC MOSFET動態(tài)高溫高濕反偏(DH3TRB)試驗方法

本文件主要起草單位：工業(yè)和信息化部電子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、中國科學院電工研究所、比亞迪半導體股份有限公司、清純半導體(寧波)有限公司、復旦大學寧波研究院、東風汽車集團有限公司、湖北九峰山實驗室、深圳市禾望電氣股份有限公司、杭州芯邁半導體技術(shù)有限公司、中國電力科學研究院有限公司、中國第一汽車集團有限公司、廣電計量檢測集團股份有限公司、西安交通大學、深圳平湖實驗室、江蘇第三代半導體研究院有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測中心、北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：陳媛、施宜軍、何亮、毛賽君、陳興歡、王宏躍、趙鵬、蔡宗棋、張瑾、吳海平、孫博韜、丁琪超、左元慧、張俊然、李鉀、王民、王丹丹、謝峰、閔晨、楊霏、劉昌、暴杰、徐思晗、李汝冠、王來利、王鐵羊、劉陸川、胡浩林、李煒鴻、趙高鋒、李本亮、高偉。

審核編輯 黃宇