1.產(chǎn)品特性(替代LMG1210)
?工作頻率高達(dá)10MHz
?20ns 典型傳播延遲
?5ns 高側(cè)/低側(cè)匹配
?兩種輸入控制模式
?具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間的單個(gè)PWM 輸入、 獨(dú)立輸入模式
?1.5A 峰值拉電流和 3A峰值灌電流
?內(nèi)置5V LDO
?欠壓保護(hù)
?過(guò)熱保護(hù)
?總劑量(TID)耐受:≥100k rad(si)
?單粒子鎖定及燒毀對(duì)線性能量傳輸(LET)的抗干擾度:≥75MeV*cm2/mg
2.功能描述
PC1210是一款60V半橋GaN驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為高頻率、高效率的應(yīng)用而開(kāi)發(fā), 具有可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間功能、極短的傳播延遲以及5ns 高側(cè)/低側(cè)匹配,以優(yōu)化系統(tǒng)效率。芯片內(nèi)置LDO,提供與電源電壓無(wú)關(guān)的5V柵極驅(qū)動(dòng)器電壓。
PC1210具有兩種輸入控制模式:獨(dú)立輸入模式(IIM) 和PWM 模式。在IIM 模式中,每個(gè)輸出都由專(zhuān)用輸入獨(dú)立控制。在PWM 模式下,兩個(gè)補(bǔ)償輸出信號(hào)由單個(gè)輸入產(chǎn)生,每個(gè)沿的死區(qū)時(shí)間可在10~100ns之間調(diào)節(jié)
3.產(chǎn)品應(yīng)用
?同步降壓型轉(zhuǎn)換器
?半橋、全橋、正激、推挽轉(zhuǎn)換器
4.裸芯片/封裝簡(jiǎn)介
?本產(chǎn)品為裸芯片,尺寸為2050μm×2050μm(含劃片槽尺寸)
審核編輯 黃宇
-
驅(qū)動(dòng)器
+關(guān)注
關(guān)注
54文章
8637瀏覽量
149109 -
半橋
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
47瀏覽量
21591 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
2178瀏覽量
76194
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器、5V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC28250 具有預(yù)偏置作的高級(jí)半橋/全橋 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

PC1702單通道H橋柵極驅(qū)動(dòng)器中文手冊(cè)
MP1918數(shù)據(jù)手冊(cè)#100V、高頻、半橋 GaN/MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級(jí)

TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計(jì)
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET

ST 意法半導(dǎo)體 STDRIVEG611QTR 用于 GaN 功率開(kāi)關(guān)的高壓和高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅(qū)動(dòng)器

LN4304 200V半橋驅(qū)動(dòng)器中文手冊(cè)
高頻高效不對(duì)稱(chēng)半橋反激變換器的分析與優(yōu)化設(shè)計(jì)
利用LMG1210實(shí)現(xiàn)GaN半橋設(shè)計(jì)的散熱和功耗降低

評(píng)論