深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術開發商Odyssey Semiconductor Technologies的資產。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時Odyssey的所有關鍵員工都將加入Power Integrations的技術部門。

此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術的持續開發提供有力支持。PowiGaN技術已廣泛應用于該公司的眾多產品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS?-5功率因數校正IC以及最近推出的InnoMux?-2系列單級多路輸出IC。該公司已于2023年推出900V和1250V版本的PowiGaN技術和產品。

Power Integrations技術副總裁Radu Barsan博士表示：“自2018年開始出貨采用PowiGaN技術的產品以來，Power Integrations一直走在氮化鎵開發和商業化的前沿。我們正在實施一項宏偉的產品研發路線，即實現與硅MOSFET成本持平的耐壓及功率能力均得到提高的PowiGaN產品。我們的目標是利用氮化鎵相對于碳化硅根本上的材料優勢，以更低的成本和更高的性能將高電流、高電壓氮化鎵技術商業化，以支持目前由碳化硅(SiC)所涵蓋的更高功率的應用。Odyssey團隊在高電流垂直氮化鎵方面的經驗將增強并推進這些工作的進展，我們很高興他們能加入我們的團隊。”

Odyssey聯合創始人兼首席執行官Richard Brown博士補充道：“我和Odyssey團隊都很高興能加入Power Integrations，共同加速他們的氮化鎵技術產品的研發過程。作為首家實現高壓氮化鎵商業化的公司，Power Integrations將在成本、電壓電流以及在充分利用氮化鎵能力的系統級產品設計方面，繼續引領行業并推動技術向前發展。”

審核編輯 黃宇