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近日日,由世紀電源網主辦的第十五屆“亞洲電源技術發展論壇”于深圳盛大舉辦。上百余電源上下游企業和3000多名專業工程師匯聚一堂,共同交流電源技術最新研究...
近日,德州儀器(TI)宣布了一個重要的里程碑事件:其基于氮化鎵(GaN)的功率半導體已在日本會津工廠正式投產。這一舉措標志著德州儀器在GaN功率半導體領...
英飛凌大中華區首次線上舉辦生態創新峰會,推動本土低碳化、數字化發展
2022年12月14日-15日,英飛凌科技(中國)有限公司成功在線舉辦了以“數字智能、低碳未來” 為主題的OktoberTech?英飛凌生態創新峰會。O...
除了可以被視為利基領域的航空航天和國防之外,GaN在電信市場中也占有重要地位,其中高功率密度、開關頻率和效率(結合小尺寸)是強制性要求。
氮化鎵(GaN)功率半導體市場風起云涌,引領技術革新與產業升級
自去年以來,氮化鎵(GaN)功率半導體市場持續升溫,成為半導體行業的焦點。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業界巨頭紛紛通過并購GaN技術公司,加速在這一領域的布...
基于 ICeGaN? 和IVCC1104的2.5kW圖騰柱無橋PFC設計案例研究
ICeGaN? 助力瞻芯電子輕松升級 IVCC1104 參考設計平臺,在大功率應用場景下展現易用性和卓越可靠性 英國劍橋——Cambridge GaN ...
由于其固有的特性,寬禁帶半導體(WBG)在許多功率應用中正逐步取代傳統的硅基器件。碳化硅(SiC)功率MOSFET的擊穿電壓高于1kV,這是電動汽車逆變...
據外媒報道,格芯已獲得美國政府3500萬美元(折合人民幣約2.56億元)的資助,用于其佛蒙特州的晶圓廠開發和生產硅基氮化鎵(GaN-on-Si)晶圓,該...
Diodes 超高功率密度140瓦PD3.1 GaN充電器解決方案
Diodes公司推出了一款高效140WUSBType-C充電解決方案,采用獲得專利的ACF拓撲,滿足DOEVI和COCTier2效率要求。該方案支持PD...
Power Integrations宣布收購Odyssey Semiconductor的資產
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今天宣布達成協議,收購垂直氮化鎵(GaN...
GaN技術引領功率電子產業新風潮,預估2030年市場規模將突破43億美元
隨著全球對高效能電力解決方案的需求日益增加,氮化鎵(GaN)技術正在成為功率電子產業的一大亮點。近期,英飛凌和德州儀器等行業巨頭對GaN技術的投入不斷加...
近年來,半絕緣SiC襯底上外延生長的GaN高遷移率晶體管(GaN-on-SiC HEMTs)已廣泛應用于微波射頻領域的功率放大器電路中。
2022-12-02 標簽:GaN 832 0
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有類似的高寬帶隙能量,從而使它們在開關能力、效率、大功率和高壓處理方面比硅、鍺或砷化鎵等其他半導體更具優勢。
電子發燒友網綜合報道 3月22日,九峰山實驗室首次公布了GaN相關的研究成果,包括國際首創8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底(N-polar GaNOI);全國...
2025-03-25 標簽:GaN 829 0
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