ICeGaN?助力瞻芯電子輕松升級IVCC1104參考設計平臺，在大功率應用場景下展現易用性和卓越可靠性

英國劍橋——Cambridge GaN Devices（CGD）是一家無晶圓氮化鎵（GaN）功率器件生產商，致力于開發節能高效GaN功率管和IC。該公司專利產品ICeGaN?通過高度的集成化極大的簡化設計流程，加速產品落地。近日，CGD宣布與總部位于上海的碳化硅（SiC）功率器件與IC解決方案領先供應商瞻芯電子（Inventchip Technology）合作，已成功完成了基于ICeGaN的2.5kW CCM模式圖騰柱無橋PFC的參考設計開發和驗證。

基于IVCC1104和ICeGaN的大功率PFC解決方案

IVCC1104作為一款模擬圖騰柱PFC控制芯片，內置高速、精確、可靠的模擬控制器，相比于數字控制芯片，封裝更緊湊(16pin)，無需編程調試，不論搭配碳化硅(SiC)器件或氮化鎵(GaN)器件，都能大幅簡化器件選型，降低物料成本，加快電源產品的開發速度，還能解決一系列控制難點，保障開關電源方案的高效率、高可靠性，助力產品快速開發與推廣。ICeGaN? IC將柵極接口電路、保護功能與主功率管單片集成，可直接和瞻芯電子IVCR1401驅動或市售通用Si/SiC驅動芯片兼容， 無需修改任何電路可無縫替換現有的Si和SiC 器件，實現效能提升。

（圖為基于 ICeGaN? 和 IVCC1104 的 2.5kW 圖騰柱無橋 PFC參考設計）

CGD技術市場與業務拓展總監 Di Chen 表示：
“瞻芯電子現有的2.5kW圖騰柱PFC參考設計方案是基于TO-247封裝， 通過一塊半橋適配子板，替換為ICeGaN? P2系列的25mΩ GaN IC，在不修改驅動、控制策略、電路拓撲的情況下，即可正常運行。測試結果證明了ICeGaN? 能大幅縮短工程師學習和新品開發周期，加速GaN在大功率電源設計的導入和產品落地。”

瞻芯電子首席技術官 葉忠博士 評價：
“ICeGaN?器件在2.5kW圖騰柱PFC中首次上電就能穩定工作，開關波形干凈，盡管其DFN封裝需通過TO247-4適配板焊接至主功率版，且柵極驅動和驅動電源走線較長，但從空載到滿載均未發現異常或直通現象。CGD開發的ICeGaN? 性能令人印象深刻，展現出極強的抗噪性、易用性與高效能。”

GaN技術邁向大功率應用
GaN此前已在小功率快充設計中驗證了效率與功率密度優勢，現正被服務器/數據中心電源、馬達驅動，光伏逆變器以及LED驅動制造商采用。目前眾多電動汽車廠商也在積極評估GaN在新能源車上的潛在應用，比如主驅逆變，輔驅和OBC等。ICeGaN?技術憑借已驗證的高可靠性和兼容性，尤其適合大功率場景。
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