獲3500萬美元，格芯加速氮化鎵芯片

據外媒報道，格芯已獲得美國政府3500萬美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開發和生產硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該工廠目前每月可生產超過5萬片晶圓。

格芯生產的GaN芯片在處理高溫和高壓的優良表現，可以大幅改良手機、汽車、工業物聯網（IoT）以及電網和其他關鍵基礎設施在5G、6G通訊方面的性能和效率。

其中，美國國防部資助的這3500萬美元中的一部分，格芯計劃購買更多的設備以擴展開發和設計的能力，加快其大規模生產8英寸GaN-on-Si晶圓的進度。另一部分，格芯將用來減少自身以及客戶受鎵供應鏈限制的風險，同時提高美國制造的GaN芯片的開發速度、供應保證和競爭力。

此次投資建立在格芯與政府多年合作的基礎上——2020-2022年期間政府資助了格芯4000萬美元（折合人民幣約2.93億元）。格芯的研發團隊擁有著8英寸晶圓制作的相關經驗，可助力8英寸GaN-on-Si晶圓的制造。

“GaN-on-Si是新興市場高性能射頻、高壓電源開關和控制應用技術的理想載體，對于6G無線通信、工業物聯網和電動汽車非常重要。”總裁兼首席執行官Thomas Caulfield博士評論，“格芯與美國政府有著長期的合作伙伴關系，這筆資金對加速GaN-on-Si芯片批量生產至關重要。這些芯片將使我們的客戶能夠實現大膽的新設計，突破我們日常依賴的關鍵技術的能源效率和性能極限。”

與傳統GaN-on-SiC等技術路線相比，GaN-on-Si選用的襯底成本與可靠性有顯著優勢，GaN外延生長缺陷也顯著降低。

格芯（GF）是世界領先的半導體制造商之一。格芯正在通過開發和提供功能豐富的工藝技術解決方案來重新定義半導體制造，這些解決方案可在普遍的高增長市場中提供領先的性能。






審核編輯：劉清