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基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode(增強型)功率...
隨著科技的不斷進步,電力電子技術也在飛速發展。其中,氮化鎵(GaN)芯片作為一種新型的電力電子器件,因其具有高效能、高速、高溫等優點,已經開始在各個領域...
宏光半導體氮化鎵功率器件外延片產品正式投產 實現GaN業務產能落地 銳意創造全新盈利增長點
(2022年11月2日,香港)宏光半導體有限公司(「宏光半導體」,連同其附屬公司統稱「集團」; 股份代號:6908. HK)欣然宣布,集團近期已開始生產...
深圳目標2023年IC銷售突破2000億 六大策略助力產業增長
日前,深圳市人民政府辦公廳印發《深圳市進一步推動集成電路產業發展行動計劃(2019-2023年)》(以下簡稱《行動計劃》)、《關于加快集成電路產業發展若...
瑞薩電子與氮化鎵(GaN)器件領導者Transphorm宣布,雙方已達成最終收購協議。根據協議,瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Trans...
偉詮電在氮化鎵(GaN)快充市場迎來了新的機遇,因為日本集成設備制造商(IDM)瑞薩公司近期宣布成功收購美國GaN廠商Transphorm。這對偉詮電來...
UCSB團隊利用外延隧道結制備高性能InGaN Micro LED
Micro LED的發光效率會隨著尺寸微縮而下降,從而導致檢測與維修問題增多,這是Micro LED面臨的關鍵技術難題之一。鑒于此,相關技術研究員嘗試在...
半導體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學蝕刻的 MOCVD GaN
蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜,使...
全球半導體解決方案供應商 瑞薩 電子與全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布雙方...
2024-01-12 標簽:瑞薩GaNTransphorm 932 0
如何選擇性價比高的氮化鎵芯片?采用KT65C1R200D產品
選擇氮化鎵芯片時,根據應用的需求,確定所需的性能指標,包括功耗、頻率、工作溫度范圍等。不同型號的氮化鎵芯片有不同的性能特點,需要根據具體的應用場景選擇合...
GaN材料主要應用于偏低壓應用例如800V以下的應用,像高功率密度DC/DC電源的40V-200V增強性高電子遷移率異質節晶體管(HEMT)和600V ...
Porotech是英國劍橋大學的子公司,正在開發基于氮化鎵(GaN)的microLED技術,用于AR微顯示器。
與現在的Si功率半導體相比,SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元...
聚焦功率半導體測試 | 普賽斯儀表多款測試新品亮相中國光谷九峰山論壇
“聚勢賦能共赴未來”,2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產業博覽會,已在中國武漢光谷圓滿落下帷幕。此次活動作為化合物半導體產業領域規模最大、規格最...
三星進軍化合物半導體代工市場,各廠商加速入局GAN市場氮化鎵行業快報
報道強調,隨著全球消費電子、電動汽車領域的技術升級和需求成長,功率半導體的價格一直在上漲。因此,市場希望于碳化硅、氮化鎵這樣的化合物材料所制造功率半導體...
2021 年是世界決定向氮化鎵 (GaN) 敞開大門的過渡年。EPC 首席執行官 Alex Lidow 在 CES 周期間接受 Power Electr...
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