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      標簽　>　gan

      gan

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      gan資訊

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      對硅替代品的探索始于上個世紀的最后二十年，當時研究人員和大學對幾種寬帶隙材料進行了試驗，這些材料顯示出在射頻、發光、傳感器和功率半導體等領域替代現有硅材...

      2022-08-05 標簽：二極管功率器件GaN 1014 0

      Transphorm：氮化鎵應用進一步擴展，2024年下半年半導體市場將回暖

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      正值歲末年初之際，回顧過去的2023年，半導體產業整體處于下行周期，各大應用領域的市場表現并不理想。那么復盤2023年的半導體產業狀況，能夠發現哪些細分...

      2023-12-27 標簽：氮化鎵GaN 1014 0

      單片2 MHz GaN半橋適合D類音頻

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      2022-08-29 標簽：pcb晶體管GaN 1010 0

      韓國開發了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法

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      12月11日，外媒消息，韓國首爾國立大學與成均館大學的研究團隊聯合開發了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術研究團隊生長出了LE...

      2023-12-13 標簽：LED技術LED芯片GaN 1009 0

      使用GaN進行功率轉換

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      分立式 GaN 解決方案的速度無疑比硅等效方案更快。使用數字控制，它們可以變得更加高效和小巧。編程以及相關固件消除了許多設計瓶頸。

      2022-08-05 標簽：驅動器半導體GaN 1005 0

      GaN改變充電器設計

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      氮化鎵 (GaN) 開關技術推動了充電器和適配器的小型化。與使用等效硅器件的電路相比，它允許開發可以在高開關頻率下運行的轉換器。GaN 減小了變壓器尺寸...

      2022-08-05 標簽：充電器適配器GaN 1005 0

      攬獲殊榮！普賽斯儀表榮獲“金翎獎”功率半導體領域2024年度優質供應商獎項

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      全球半導體技術的迅猛發展，暢通著能源產業的命脈。新能源時代，功率半導體成為中國半導體產業的名片之一。4月23日，CIAS2024功率半導體新能源創新發展...

      2024-06-05 標簽：可控硅IGBTGaN 1004 0

      武大發現PSSA襯底可提高LED芯片的效率

      據報道，武漢大學的研究團隊近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）襯底來降低氮化鎵接合邊界失配...

      2020-12-09 標簽：LED芯片GaN 1002 0

      納微半導體APEC 2025亮點搶先看

      近日，唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣...

      2025-02-25 標簽：SiCAPECGaN 999 0

      全球領先氮化鎵IDM企業發力，33W GaN快充迅速上量

      外型小巧是該方案的一大特色，其內部電路設計更是十分精簡，通過圖片可見，該方案僅僅只用兩塊PCB板就實現了全部功能，讓人眼前一亮。并且完全實現了核心技術的...

      2021-04-08 標簽：氮化鎵GaN英諾賽科 999 0

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      意法半導體?在PCIM Europe?虛擬會議上首次向業界展示了該公司用于汽車應用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺積電的 G...

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      Digi-Key Electronics 日前宣布與高壓電源轉換半導體技術的領先創新者 Power Integrations 合作，供應其采用 Powi...

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      2024-06-04 標簽：封裝服務器GaN 991 0

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      2022-07-26 標簽：充電器機器人GaN 990 0

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