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      標簽　>　gan

      gan

      廠商產品 +關注19人關注

      文章：1908個 瀏覽：76267次 帖子：160個

      gan資訊

      GaN新技術可使散熱能力提高2倍以上

      近期，大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上

      2024-01-15 標簽：晶體管氮化鎵GaN 1123 0

      通過寬帶隙技術最大限度地來提高高壓轉換器的功率密度

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      增加功率密度和縮小電源供應并不是什么新鮮事。這一趨勢預計將繼續下去，從而催生新的市場、應用和產品。此博客向設計工程師介紹 STMicroelectron...

      2022-12-29 標簽：ST晶體管GaN 1122 0

      德州儀器推出先進650V三相GaN IPM

      德州儀器 (TI) 推出了適用于 250W 電機驅動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用...

      2024-06-18 標簽：德州儀器GaN電機驅動器 1122 0

      GaN紫外傳感器的6中類型介紹

      氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導體材料，禁帶寬度為3.4eV，對應截至波長365nm，對可見光無響應，克服了硅基紫外傳感器對可見光有強烈響應，且紫外靈...

      2023-01-12 標簽：傳感器氮化鎵GaN 1117 0

      GaN和SiC的技術挑戰

      每個世紀在人類努力的各個領域都有其重大發明。對于電力電子而言，21世紀正在加速發現寬帶隙。在過去的二十年里，研究人員和大學已經對幾種寬帶隙材料進行了試驗...

      2022-07-27 標簽：SiC氮化鎵GaN 1117 0

      IQE+VisIC合作開發車用高可靠性D模式GaN功率產品

      VisIC創始人兼首席執行官Tamara Baksht表示：“我們相信與IQE合作是重塑電動汽車行業的關鍵一步。我們的D-Mode D3GAN（（直接驅...

      2023-09-21 標簽：逆變器半導體材料GaN 1115 0

      華潤微公布2023年度業績快報

      華潤微近日發布了其2023年度業績快報公告，根據公告內容，公司在去年實現營收99.01億元，同比下降1.59%。盡管營收微降，但華潤微在研發領域的投入力...

      2024-03-12 標簽：晶圓GaN華潤微 1115 0

      今日看點丨龍芯中科下一代八核3B6600 CPU明年流片；英飛凌推出全球首創12英寸GaN晶圓技術

      1. 英飛凌推出全球首創12 英寸GaN 晶圓技術 ? 英飛凌日前表示，公司已能夠在12英寸（300mm）晶圓上生產GaN芯片，該技術為世界首創，希望滿...

      2024-09-12 標簽：英飛凌cpuGaN 1115 1

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      2022-12-26 標簽：電源管理GaN 1112 0

      SiC 和 GaN：兩種半導體的發展

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      在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產品便宜得多，并且不會很快從電力應用中消失。但一級制造商和原始設備制造商表示，將高功率密度碳化硅應用到逆變器設...

      2023-10-08 標簽：SiC氮化鎵GaN 1107 0

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      氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢

      2023-12-28 標簽：MOSFET氮化鎵GaN 1106 0

      氮化鎵，并網轉換器vista

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      多年來，設計人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網應用中實現前所未有的功率密度、系統可靠性和成本水平的未來。工程師不僅在尋找設備或技術成熟度——...

      2022-08-05 標簽：轉換器半導體氮化鎵 1105 0

      應用在電源適配器中的GaN／氮化鎵

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      2022-10-21 標簽：電源適配器氮化鎵GaN 1104 0

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      德州儀器，作為全球領先的半導體解決方案供應商，近日宣布正在積極推進其氮化鎵（GaN）半導體生產工藝從當前的6英寸向8英寸過渡。這一重大舉措旨在進一步提高...

      2024-03-07 標簽：半導體德州儀器GaN 1101 0

      理解寬禁帶半導體的重要性和挑戰

      功率電子學在現代科技領域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動交通領域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認識并保證寬禁帶...

      2024-06-07 標簽：SiCGaN寬禁帶半導體 1100 0

      充電5分鐘，暢玩2小時，165Hz高幀刷新體驗

      6.8英寸全面電競屏，炫酷的外觀設計，搭載高通驍龍888旗艦處理器，刷新率高達165Hz

      2021-03-08 標簽：高通GaN快充技術 1097 0

      殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？

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      在電力電子應用中，為了滿足更高能效和更高開關頻率的要求，功率密度正在成為關鍵的指標之一。基于硅（Si）的技術日趨接近發展極限，高頻性能和能量密度不斷下降...

      2022-09-06 標簽：新能源汽車晶體管GaN 1093 0

      基于 GaN 功率器件的高功率和高功率密度電動汽車逆變器

      提高功率密度的路線圖從降低傳導動態損耗開始。氮化鎵甚至比碳化硅更能顯著降低動態損耗，從而降低整體損耗。因此，這是未來實現高功率密度的一種方法。 第二個參...

      2022-08-03 標簽：半導體逆變器氮化鎵 1091 0

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      實現集成低側GaN FET的DC-DC變換器設計的小尺寸與高功率密度——HD1001應用指南2

      在HD1001應用指南1中，我們介紹了超高速GaNFET驅動器作為激光二極管開關器件驅動的應用，除應用于激光雷達發射端外，超高速GaNFET驅動器同樣可...

      2023-04-09 標簽：變換器GaN 1091 0

      羅姆EcoGaN被臺達電子Innergie品牌AC適配器“C4 Duo”采用！

      羅姆EcoGaN被臺達電子Innergie品牌AC適配器“C4 Duo”采用！

      全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）的650V GaN器件（EcoGaN），被臺達電子（Delta Electronic...

      2024-02-27 標簽：GaN羅姆AC適配器 1090 0

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