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      GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

      芯長(zhǎng)征科技 ? 來源：全球半導(dǎo)體觀察 ? 2024-01-15 10:44 ? 次閱讀

      近期，大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應(yīng)用于5G通信基站、氣象雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波加熱、等離子體處理等領(lǐng)域，該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。

      隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展，功率密度和散熱等問題日益凸顯，業(yè)界試圖通過新一代材料解決上述問題。

      據(jù)悉，金剛石具備極強(qiáng)的導(dǎo)熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導(dǎo)電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。

      在最新研究中，大阪公立大學(xué)的科學(xué)家們成功地用金剛石作為襯底制造了GaN高電子遷移率晶體管。為了進(jìn)一步提高金剛石的導(dǎo)熱性，研究人員在GaN和金剛石之間加入了一層3C-SiC（立方碳化硅）層。這一技術(shù)顯著降低了界面的熱阻，從而提高了散熱效率。










      審核編輯：劉清

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      原文標(biāo)題：GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

      文章出處：【微信號(hào)：芯長(zhǎng)征科技，微信公眾號(hào)：芯長(zhǎng)征科技】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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