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圣邦微電子推出一款最小脈沖寬度為1ns的車規級低側驅動器SGM48521Q
圣邦微電子推出 SGM48521Q,一款最小脈沖寬度為 1ns 的 5V、7A/6A 車規級低側 GaN 和 MOSFET 驅動器。
隨著硅基 MOSFET 和功率器件接近其物理極限,功率工程師已開始轉向氮化鎵 (GaN) 以提高性能并減小整體解決方案尺寸。
近年來智能快充市場爆火,GaN給智能快充領域帶來不少新機會,同時也進入多個新應用場景。如何通過GaN更好地發展智能快充成為行業內廣大廠商面臨的重大挑戰。
2023年12月15日,中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片,利用寬...
如果說2019年是5G元年,那么2020就是5G的正式商用之年。5G手機越來越多,5G已經逐漸進入了我們的日常生活,5G時代已經到來了。
日本田村制作所與光波公司宣布,開發出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件,預計可在2011年度末上市該元件及氧化鎵(Ga2O3)基板
想象一下,星團、星云和其他星際現象都是由計算機在無人監督的情況下憑空生成的。這聽起來可能像是對未來全息技術的描述,但是愛丁堡大學感知研究所和天文學研究所...
Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優異的性能指標;CG2H800...
日前 賽微電子(300456.SZ)公告,公司23.45億元定增募資方案獲深交所審核通過。扣除發行費用后,募集資金凈額將用于:“8英寸MEMS國際代工線...
Pulsiv發布了效率超高的65W USB-C設計,可將溫度降低30%,采用集成半有源橋,效率高達96%
2024 年 8 月 22 日: 位于英國劍橋的電力電子技術創新企業Pulsiv Limited宣布推出效率超高*的 65W USB-C GaN優化參考...
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