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近期Qorvo發布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管——TGF2933-36和TGF2941-42,新產品的高頻性能更出色,噪聲更低,這對先進...
2016-11-04 標簽:GaNModelithicsQorvo 1283 1
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應用 | 氮化硼高導熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝,WBG設備顯示出以下優點:1.寬帶隙半導體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和...
試想你在離家1,000英里遠的地方,卻能夠監測和控制家里和辦公樓中的每一度電。你能運用這種能力做什么呢? ? 你有時或許想要遠程調節恒溫器,開燈...
韓國首爾半導體開發出了在1mm見方藍色LED芯片上組合熒光材料,實現了光通量為500lm左右的白色LED,并在“日本第5屆新一代照明技術展”上展出。該...
第一代半導體材料主要是以硅和鍺為代表的IV族材料,而第二代和第三代半導體材料主要是化合物半導體(Compound Semiconductor)材料,其中...
中微公司Prismo系列MOCVD平臺成功實現高晶體質量的GaN薄膜外延
10月,為期四天的第五屆全國寬禁帶半導體學術會議于蘇州召開。此次會議聚集了來自科研院所、高校與行業領域相關企業近700位專家、學者,一同探討寬禁帶半導體...
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出新款 GaN FET 器件,該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和...
今天,富士通半導體宣布推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A,該芯片可耐壓150V。用戶可設計出體積更小、效率更高電源組件,可廣...
瑞薩電子收購Transphorm,加速GaN功率半導體市場布局
全球半導體解決方案的領軍者瑞薩電子近日宣布,已成功完成對氮化鎵(GaN)功率半導體全球供應商Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)的...
安森美與Transphorm合作提供基于GaN的電源系統方案
2014年9月26日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)與功率轉換專家Transpho...
2014-09-26 標簽:GaN安森美公司Transphorm公司 1258 0
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