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      標簽　>　gan

      gan

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      文章：1908個 瀏覽：76270次 帖子：160個

      gan資訊

      5G 和 GaN：嵌入式設計人員需要了解的內容

      如本系列上一篇文章所述，6GHz 以下 5G 基站的功率需求正在推動從 LDMOS 放大器轉向基于 GaN 的解決方案。高功率密度、效率和更廣泛的頻率支...

      2022-07-15 標簽：嵌入式GaN5G 1478 0

      基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發光器件研究

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      2024-01-02 標簽：晶圓GaNLED發光 1477 0

      國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

      　相比于橫向功率電子器件，GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動態特性、更佳的熱管理，而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率電子器...

      2022-12-15 標簽：電子器件功率器件GaN 1477 0

      測試、測量試驗，確認 GaN 技術的價值

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      通過測試和測量持久力來評估電子設備的質量和耐用性。評估氮化鎵 (GaN)價值的測試勢在必行，因為它自誕生以來就具有巨大的潛力，可以實現更高效的功率轉換，...

      2022-08-05 標簽：半導體工業SiC 1471 0

      用于低溫應用的GaN器件

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      作者研究了四個商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之間的寬溫度范圍內的性能。據作者介紹，正如原始文章中所報道的，所有測試的器件都可以在低溫...

      2022-07-25 標簽：晶體管GaNPID控制器 1466 0

      WiBotic 為無人機和機器人提供新型基于 GaN 的充電器和發射器

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      大功率自主充電系統市場正在以驚人的速度增長。WiBotic 公布了其在臺式電池充電器和無線充電發射器方面的最新創新成果，用于無人機和采用 GaN 技術的...

      2022-08-03 標簽：充電器機器人GaN 1465 0

      納微半導體公布2023年第三季度財務業績

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      根據美國通用會計準則（GAAP），受庫存調整影響，2023年第三季度毛利率為32.3%， 2022年第三季度為3.8%。2023年第二季度為41.5%。...

      2023-11-12 標簽：人工智能GaN納微半導體 1463 0

      信越化學推出12英寸GaN晶圓，加速半導體技術創新

      日本半導體材料巨頭信越化學近日宣布了一項重大技術突破，成功研發并制造出專用于氮化鎵（GaN）外延生長的300毫米（即12英寸）晶圓，標志著公司在高性能半...

      2024-09-10 標簽：半導體GaN信越化學 1462 0

      用于電動汽車的液冷GaN和SiC功率模塊

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      電源模塊的高級封裝是非常重要。包裝優化是提高性能的解決方案之一。

      2023-12-24 標簽：電動汽車電源模塊SiC 1461 0

      SiC和GaN功率電子器件的優勢和應用

      　　隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉向非常規半導體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對...

      2023-02-05 標簽：RFSiCGaN 1454 0

      TI助力工程師進行工業系統創新

      2017年5月8日，北京訊—近日，德州儀器（TI）發布了幾項創新的系統參考設計，包括公司最先進的模擬和嵌入式處理技術。TI Designs參考設計支持從...

      2017-05-09 標簽：tigan參考設計 1453 0

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      2024-05-23 標簽：驅動電路QFN封裝GaN 1447 0

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      IMEC與其合作伙伴共同開發了在200毫米硅芯片上生長GaN/AlGaN的技術,IMEC介紹了該技術可實現大尺寸生產和兼容性好的優勢

      2011-06-08 標簽：IMECGaN襯底芯片 1446 0

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      9月，英飛凌宣布成功開發出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產2.3倍數量的芯片，技術和效...

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      越來越多的社會壓力和越來越多的減少二氧化碳排放的立法正在推動從汽車到電信的行業投資于更高效的電力轉換和增加電氣化。傳統的硅基功率半導體技術如絕緣柵雙極晶...

      2022-08-04 標簽：半導體封裝GaN 1443 0

      氮化鎵（GaN）的最新技術進展

      氮化鎵（GaN）的最新技術進展

      本文要點氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術可實現高功率密度和更小的...

      2024-07-06 標簽：半導體氮化鎵GaN 1433 0

      GaN價格及市場規模的發展趨勢

      根據行家說 Research 數據顯示，2021年，全球GaN 功率器件營收規模約為 1.66 億美元，其中消費類電子市場為0.95億美元，通信與數據中...

      2023-02-20 標簽：氮化鎵GaN射頻器件 1427 0

      恩智浦將GaN用于5G多芯片模塊，以實現高能效移動網絡

      減少能耗是電信基礎設施的一個主要目標，其中每一點效率都至關重要。在多芯片模組中使用GaN可在2.6 GHz頻率下將產品組合效率提高到 52%，比公司上一...

      2021-07-05 標簽：恩智浦氮化鎵GaN 1415 0

      英飛凌訴英諾賽科專利糾紛，涉及GaN功率半導體

      英飛凌現已通過下屬子公司英飛凌科技奧地利公司，正式狀告位于珠海的英諾賽科、以及其在美分支機構涉嫌侵犯有關GaN技術的美國專利，尋求永久禁令。

      2024-03-15 標簽：英飛凌傳感器系統GaN 1413 0

      專用于音頻設備和GaN快充的大電流線路噪聲抑制磁珠—MZPA系列

      專用于音頻設備和GaN快充的大電流線路噪聲抑制磁珠—MZPA系列

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      2023-09-05 標簽：磁珠音頻設備GaN 1409 0

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