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Soitec收購EpiGaN nv,氮化鎵(GaN)材料加入優化襯底產品組合
Soitec宣布收購EpiGaN nv,增強其優化襯底產品組合氮化鎵(GaN)材料優勢,此次收購將加速Soitec在高速增長的5G、電源和傳感器市場的滲...
RFMD高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)RF3
日前,高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產RF3932,這種無與倫...
在過去的幾十年里,電力這個話題一直被視為主要集中于提高設備的運行效率和降低成本的一個挑戰。今天,隨著能源效率在日益依賴電力的行業中逐漸成為一項戰略舉措,...
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料,與傳統的硅功率半導體相比,優勢十分明顯,例如,在大功率工作時能效更高,使寄生功率損耗大幅降低。
Nexperia(安世半導體)推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
業內唯一可同時提供級聯型(cascade)和增強型(e-mode)氮化鎵器件的供應商。
隨著充電技術的不斷創新,充電效率得到了巨大的提升。普通慢如蝸牛的充電方式逐漸被快充形式所取代。 2019年,快充行業的飛速發展,人們對于USB-PD快充...
當不同行業數字化程度趨于成熟,智慧城市雛形初現。2022北京冬奧會通過引進智慧城市多種產品與模式,打造出微縮版城市空間,為全球展示著未來各個領域的可能樣...
GaN是第三代半導體材料,具有許多傳統硅半導體所不具備的優良特性,因此被視為新一代半導體技術,具有非常廣闊的應用前景。隨著 GaN功率器件技術的成熟, ...
隨著目前美國對我國各個行業的限制,特別是在包括Sub-1G的自組網等射頻通信領域的限制更加嚴格,我們需要發展自己的好性能芯片,尤其是通信裝備就更加敏感了...
Micro LED作為“終極顯示技術”其在未來擁有千億級的市場,報告指出了Micro LED的優勢及面臨的挑戰。面向AR應用,Micro LED在亮度、...
11月上旬,羅姆株式會社社長松本功在財報電話會議上宣布,他們將在日本宮崎縣的國富工廠生產8英寸碳化硅晶圓,預計將于2024年開始。
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