• 加快先進功率氮化鎵解決方案的開發和上市
• 充分利用意法半導體的汽車市場專業知識和臺積電的世界領先的制造技術
• 改進寬帶隙產品的能效，使功率轉換應用獲得更高能效

中國，2020年2月24日 – 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST; 紐約證券交易所代碼：STM）與世界上最大的專業半導體代工企業臺積電（TWSE:2330， NYSE： TSM）攜手合作，加快氮化鎵（GaN）工藝技術的開發以及GaN分立和集成器件的供貨。通過此次合作，意法半導體創新的戰略性氮化鎵產品將采用臺積電領先業界的GaN制造工藝。

氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料，與傳統的硅功率半導體相比，優勢十分明顯，例如，在大功率工作時能效更高，使寄生功率損耗大幅降低。氮化鎵技術還可以設計更緊湊的器件，讓目標應用具有更好的外形尺寸。此外，氮化鎵器件的開關速度是硅器件的10倍，同時工作峰值溫度更高，這些穩健強大的材料特性使氮化鎵非常適合不斷發展的100V和650V區間的汽車、工業、電信和特定消費類等各種應用領域。

具體而言，與基于相同拓撲的硅技術相比，功率氮化鎵和氮化鎵IC技術將讓意法半導體能夠為客戶提供能效更好的中高功率應用解決方案，包括混動和電動汽車的功率轉換器和充電器。功率氮化鎵和氮化鎵IC技術將有助于推動乘用車和商用車電動化的大趨勢迅速發展。

意法半導體汽車與分立器件事業部總裁Marco Monti表示：“作為要求苛刻的汽車和工業用寬帶隙半導體技術和功率半導體領域的領導者，意法半導體看好加快氮化鎵工藝技術的開發交付，把功率氮化鎵和氮化鎵IC產品推向市場，所帶來的巨大機會。臺積電是值得信賴的代工合作伙伴，唯有他們才能滿足意法半導體目標客戶嚴格的可靠性和開發規劃的獨特要求。這個合作項目補充了我們在法國圖爾工廠生產與CEA-Leti合作開發的功率氮化鎵的產能。氮化鎵是功率和智能功率電子產品以及工藝技術的下一個重大創新。”

臺積電業務開發副總裁張曉強（Kevin Zhang）博士說：“我們期待與意法半導體合作把氮化鎵功率電子技術帶入工業和汽車功率轉換系統應用中。臺積電領先業界的氮化鎵制造專業技術，結合意法半導體的產品設計和汽車級認證資質，將大幅提高工業和汽車用電源轉換能效，使其變得更加節能環保，并有助于加快汽車電動化進程?！?/p>

意法半導體預計將在今年稍晚向主要客戶交付首批功率氮化鎵分立器件的樣片，幾個月后再交付氮化鎵IC產品。