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首個在6英寸藍寶石襯底上的1700V GaN HEMTs器件發(fā)布
近日,廣東致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進成教授團隊等等合作攻關,通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層...
ACT41000-104-REF1實現多種GaN PA偏置并自動校準系統
中國北京 – 2022 年 6 月 14 日 – 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo, Inc.(納斯達克...
南海區(qū)科學技術局領導蒞臨國星半導體調研LED芯片、功率器件用GaN芯片
? 為提高企業(yè)創(chuàng)新能力,為南海區(qū)實現產業(yè)高質量發(fā)展提供有力支撐,11月2日下午,南海區(qū)科學技術局局長薛佩華,科技規(guī)劃和監(jiān)督股股長熊惠芬,科技成果轉化股股...
__[導讀]__Nexperia 是基本半導體領域的專家,最近宣布其最新產品添加到越來越多的分立器件中,該器件采用具有側面可濕性側面 (SWF) 的無引...
我國第三代半導體的產業(yè)化之路由來已久,但受制于技術等因素,市場始終不慍不火。然而今年市場出現明顯改觀,各大半導體廠商紛紛加碼投資擴產,諸如天和通訊、吳越...
InGaAs被發(fā)現可用于制造更小更節(jié)能的非硅基晶體管
麻省理工新聞報道稱:科學家們已經找到了用于制造更小、更節(jié)能的非硅基晶體管的新方法,它就是此前被用于高速通信系統的砷化銦鎵(InGaAs)材料。此前該材料...
與傳統技術相比,氮化鎵已被證明是射頻領域多種應用的優(yōu)質材料,其中可靠性、效率和減少吸收是基本要求。在制造過程中,氮化鎵通常在高于 1000 °C 的溫度...
企業(yè)服務器、交換機、基站和存儲硬件設計師都在尋求在其主板上提高功率密度和效率。隨著主板上元件數量的增加
數據中心鈦基準性能優(yōu)于基于GaN的3kW AC/DC PSU
數據中心中數量龐大且不斷增加的服務器,每個都配備中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU) 和能夠存儲大量數據的內存,因此需要增加功率。為了支持...
據電子時報報道,IC代工廠Vanguard International Semiconductor(VIS,世界先進)表示,盡管存在短期阻力,但8英寸硅...
最近,俄羅斯和印度新增了2個碳化硅項目,其中俄羅斯的碳化硅模塊項目是由“中國最大的制造商之一”投資建設的
由于氮化鎵鎖定中低功率應用,其應用市場規(guī)模要大于中高功率,因此Yole預估,氮化鎵組件2015年~2021年的成長率將達83%,其中電源供應器將占相當大...
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