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2022-12-26 標簽:GaN非線性模型 1634 0

GaN MEMS/NEMS應變調控諧振器研究

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以GaN為代表的第三代半導體具有高擊穿電場,高電子飽和速度,高頻和高功率等特性,在射頻和電力電子器件領域具有巨大的性能優(yōu)勢。

2023-12-09 標簽:晶體管諧振器GaN 1634 0

南海區(qū)科學技術局領導蒞臨國星半導體調研LED芯片、功率器件用GaN芯片

? 為提高企業(yè)創(chuàng)新能力,為南海區(qū)實現產業(yè)高質量發(fā)展提供有力支撐,11月2日下午,南海區(qū)科學技術局局長薛佩華,科技規(guī)劃和監(jiān)督股股長熊惠芬,科技成果轉化股股...

2023-11-06 標簽:LED芯片功率器件氮化鎵 1631 0

Nexperia最新發(fā)布的GaN產品

__[導讀]__Nexperia 是基本半導體領域的專家,最近宣布其最新產品添加到越來越多的分立器件中,該器件采用具有側面可濕性側面 (SWF) 的無引...

2022-09-27 標簽:氮化鎵GaNNexperia 1627 0

SiC功率器件市場正處在爆發(fā)式增長的前期

我國第三代半導體的產業(yè)化之路由來已久,但受制于技術等因素,市場始終不慍不火。然而今年市場出現明顯改觀,各大半導體廠商紛紛加碼投資擴產,諸如天和通訊、吳越...

2020-12-16 標簽:半導體SiCGaN 1621 0

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麻省理工新聞報道稱:科學家們已經找到了用于制造更小、更節(jié)能的非硅基晶體管的新方法,它就是此前被用于高速通信系統的砷化銦鎵(InGaAs)材料。此前該材料...

2020-12-10 標簽:晶體管GaN硅基 1617 0

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2022-07-29 標簽:晶體管GaNHEMT 1617 0

將GaN用于射頻應用的所有優(yōu)勢

與傳統技術相比,氮化鎵已被證明是射頻領域多種應用的優(yōu)質材料,其中可靠性、效率和減少吸收是基本要求。在制造過程中,氮化鎵通常在高于 1000 °C 的溫度...

2022-07-26 標簽:射頻RFSiC 1615 0

一文教大家如何采用GaN實現48V至POL單級轉換

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2021-03-15 標簽:GaNPOL 1608 0

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2023-12-22 標簽:晶體管氮化鎵GaN 1598 0

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2016-11-28 標簽:新能源汽車SiC氮化鎵 1585 0

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模數轉換器 數模轉換器 數字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
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數字隔離器 ESD 保護 收發(fā)器 橋接器 多路復用器 氮化鎵 PFC 數字電源
開關電源 步進電機 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
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語音識別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護電路 看門狗
CAN CSI DSI DVI Ethernet HDMI I2C RS-485
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