我國第三代半導體的產業化之路由來已久,但受制于技術等因素,市場始終不慍不火。然而今年市場出現明顯改觀,各大半導體廠商紛紛加碼投資擴產,諸如天和通訊、吳越半導體分別投資60億元和37億元用于GaN的全產業鏈建設,博方嘉芯、華通芯電投資25億元和29億元投入GaN射頻建設當中。
不過,當前第三代半導體下游應用大多處在研發階段,尚未形成量產化,因此SiC處在爆發式增長的前期。據Yole預測,2017年至2023年,SiC的復合年增長率將達到31%,到2023年,其市場規模約為15億美元。在該領域,國產廠商對于SiC的研究起步時間與國外廠商差距較小,差距尚無第一、第二代半導體顯著。因此,國產廠商有望追上國外企業,逐步實現國產替代。
與此同時,Global Market Insights數據顯示,GaN與SiC功率器件市場在2025年將達到30億美元,年復合增速達到30%。半導體區別于其它材料的主要特性是帶隙能,而GaN提供的帶隙能是Si的3倍,更高的帶隙意味著較高溫度下的更佳性能電壓,因此,GaN將會成為Si的理想替代品。隨著上述設備在光伏逆變器、混合動力和電動汽車、UPS和其他電力應用領域的應用,該市場已經初步顯現。
因此,為了讓投資者更充分了解第三代半導體的產業現狀,12月17日(周四)15:30,邀請到方正證券科技行業首席分析師陳杭做客第二十四期“開講”,帶來以《第三代半導體產業分析》為主題的精彩演講。
責任編輯:tzh
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GaN與SiC功率器件深度解析


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