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電子發燒友網報道(文/梁浩斌)OBC即車載充電器,是將交流充電口輸入的交流電轉換為直流電的部件,只要車上有交流充電口,就需要配備OBC。隨著新能源汽車的...
2025-03-05 標簽:GaN 1409 0
英飛凌率先開發全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術, 推動行業變革
2024年9月11日訊,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發出全球首項300 mm氮化鎵(GaN...
氮化鎵已成為事實上的第三代半導體材料。然而,以您需要的質量和所需的熱阻制造 GaN 晶圓是晶圓廠仍在努力克服的挑戰。
聯想發布ThinkBook口紅電源Pro,采用GaN技術,小巧輕便
9月24日下午,聯想舉辦ThinkBook秋季新品發布會,帶來了包括ThinkBook 13s/14/14s/15/15p多款筆記本電腦。
瑞薩電子發表適用于CATV的GaN功率放大器模組MC-7802
先進半導體解決方案供應商瑞薩電子(Renesas Electronics)日前發表適用于1GHz有線電視(CATV)系統的氮化鎵(GaN)功率放大器模組...
TrendForce集邦咨詢最新發布的報告揭示了全球GaN(氮化鎵)功率元件市場的強勁增長潛力。據預測,到2030年,該市場規模將從2023年的約2.7...
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件,具有很高的電子遷移率、大的電子飽...
在全球矚目的慕尼黑電子展(Electronica)上,半導體巨頭英飛凌再次展現了其創新實力,通過一場盛大的媒體發布會,隆重推出了多款CoolGaN?系列...
瑞薩收購Transphorm,利用GaN技術擴展電源產品陣容
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(以下“瑞薩”,TSE:6723)與全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(以下“Tran...
通過與 Exagan 的集成,ST 將擁有市場上最強大的 GaN IP 產品組合,因為我們將能夠同時提供 E 模式和 D 模式 GaN 產品,從而為...
GaN的驅動電路有哪些挑戰?怎么在技術上各個突破?GaN驅動電路有哪些設計技巧? GaN(氮化鎵)是一種新型的半導體材料,相比傳統的硅材料,具有更高的電...
三菱電機開始提供5G Massive MIMO基站用GaN功率放大器模塊樣品
三菱電機集團近日(2023年9月14日)宣布,將于9月21日開始提供用于5G Massive MIMO*1(mMIMO)基站的新型氮化鎵(GaN)功率放...
近日,美國一家GaN企業宣布破產倒閉,該企業還有一個晶圓廠,總投資超過10億人民幣,而且該企業此前還宣布他們的GaN器件即將上主驅,倒閉原因是什么?
對快速 GaN 器件進行基準測試是一項具有挑戰性的任務,需要特殊定制的 PCB 布局。為獲得準確結果,需要超低的雜散電感和高帶寬電流測量。
近日,GaN行業迎來了一項重要突破,一家名為遠山半導體的企業宣布成功研發出新一代高壓氮化鎵功率器件,其電壓等級高達3300V。這一消息于10月18日由“...
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