全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協議，根據該協議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發行普通股，較Transphorm在2024年1月10日的收盤價溢價約35%，較過去十二個月的成交量加權平均價格溢價約56%，較過去六個月的成交量加權平均價格溢價約78%。此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN（功率半導體的下一代關鍵材料）的內部技術，從而擴展其在電動汽車、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業務范圍。

作為碳中和的基石，對高效電力系統的需求正在不斷增加。為了應對這一趨勢，相關產業正在向以碳化硅（SiC）和GaN為代表的寬禁帶（WBG）材料過渡。這些先進材料比傳統硅基器件具備更廣泛的電壓和開關頻率范圍。在此勢頭下，瑞薩已宣布建立一條內部SiC生產線，并簽署了為期10年的SiC晶圓供應協議。

瑞薩現目標是利用Transphorm在GaN方面的專業知識進一步擴展其WBG產品陣容。GaN是一種新興材料，可實現更高的開關頻率、更低的功率損耗和更小的外形尺寸。這些優勢使客戶的系統具有更高效、更小、更輕的結構以及更低的總體成本。也因此，根據行業研究，GaN的需求預計每年將增長50%以上。瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發新的增強型電源解決方案，例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案，以及面向計算、能源、工業和消費應用的解決方案。

瑞薩首席執行官柴田英利表示：“Transphorm是一家由來自加州大學圣塔芭芭拉分校、并扎根于GaN功率、經驗豐富的團隊所領導的公司。Transphorm GaN技術的加入增強了我們在IGBT和SiC領域的發展勢頭。它將推動和擴大我們的關鍵增長支柱之一的功率產品陣容，使我們的客戶能夠選擇最佳的電源解決方案。”

Transphorm聯合創始人、總裁兼首席執行官Primit Parikh博士以及Transphorm聯合創始人兼首席技術官Umesh Mishra博士表示：“結合瑞薩全球布局、廣泛的解決方案和客戶關系，我們很高興能為WBG材料的行業廣泛采用鋪平道路，為其顯著增長奠定基礎。這項交易還將使我們能夠為客戶提供進一步擴展服務，并為我們的股東帶來可觀的即時現金價值。此外，它將為我們杰出的團隊提供一個強大的平臺，以進一步發展Transphorm卓越的GaN技術和產品。”

交易明細

Transphorm董事會已一致批準最終協議，并建議Transphorm股東通過該最終交易并批準合并。在簽署最終協議的同時，持有Transphorm約38.6%已發行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已與瑞薩簽訂慣例投票協議以支持本次交易。

該交易預計將于2024年下半年完成，但需獲得Transphorm股東的批準、監管部門的許可和其他慣例成交條件的滿足。






審核編輯：劉清