女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

第三代半導體產(chǎn)業(yè) ? 來源:第三代半導體產(chǎn)業(yè) ? 2023-12-09 14:45 ? 次閱讀

氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性,例如寬帶隙、高擊穿場強和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應用中具有廣闊的應用前景。

隨著GaN功率器件的性能提升,GaN與SiC共存領域的形勢將會發(fā)生重大變化。當前,以GaN和SiC為代表的國際第三代半導體產(chǎn)業(yè),受政策、資本、技術、市場的“四輪驅(qū)動”,已經(jīng)實現(xiàn)了從研發(fā)到規(guī)模性量產(chǎn)的成功跨越,進入了產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段。

世界各國以前所未有的力度扶持半導體產(chǎn)業(yè),爭相搶跑第三代半導體。國際龍頭企業(yè)大力完善產(chǎn)業(yè)布局,強化競爭優(yōu)勢;企業(yè)上下游深化戰(zhàn)略合作,擴大自身優(yōu)勢,搶占市場份額。在各方支持下,國內(nèi)SiC和GaN技術和產(chǎn)品也相繼獲得突破。

近日,第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)在廈門國際會議中心召開。期間在“氮化鎵功率電子器件”分會上,南方科技大學深港微電子學院院長、教授于洪宇帶來了“Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景”的主題報告,分享了Si基GaN器件先進工藝研究進展、Si基GaN功率器件及其電源系統(tǒng)、Si基GaN射頻器件及其PA模塊、Ga2O3器件及GaN氣體傳感器

GaN功率器件朝高功率密度、高頻、高集成化方向發(fā)展,擊穿電壓集中在<200V 和650V。目前GaN功率元件市場的發(fā)展主要由消費電子所驅(qū)動,核心在于快速充電器, 其他消費電子場景還包括D類音頻、無線充電等。許多廠商已將目光轉(zhuǎn)向工業(yè)市場,如電動汽車、數(shù)據(jù)中心電源、風力發(fā)電等。

商業(yè)GaN射頻器件目前主要集中在低頻、高功率,為進一步拓展應用市場,未來將朝更高功率、更工作頻率方向發(fā)展。國防、5G、電信基礎設施是推動GaN RF發(fā)展的動力源泉。2022年GaN RF器件市場價值13億美元,預計到2028年將達到27億美元,2020年至2028年復合增長率為12%。

dbcd6fc4-95c4-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

dbfc8c0a-95c4-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

dc194c6e-95c4-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

Si基GaN器件先進工藝方面,研究涉及極化和二維電子氣、導通機制及器件結(jié)構(gòu),超低接觸電阻的源、漏極n型歐姆接觸,InAlN上的源、漏極歐姆接觸,超低接觸電阻的源、漏極p型歐姆接觸、低損傷GaN數(shù)字刻蝕技術、SiNx柵介質(zhì)層、柵介質(zhì)層和表面處理等。其中,研究提出了利用兼容CMOS工藝的TiAl合金層,氮化鎵基HTMT源漏歐姆接觸電阻實現(xiàn)0.063Ω·mm(非金工藝),刷新了世界紀錄,被遴選為IEEE EDL封面文章。

研究提出兼容COMS工藝的低成本Si/Ti5Al1/TiN歐姆接觸結(jié)構(gòu)。實現(xiàn)了0.11 Ω·mm的超低歐姆接觸電阻值。利用透射電鏡(TEM)等技術手段深入分析了其形成優(yōu)異歐姆接觸的微觀機理,提出了該歐姆接觸結(jié)構(gòu)的形成機理。

研究首次提出Mg/Pt/Au結(jié)構(gòu)的p型歐姆接觸工藝,并系統(tǒng)分析了其載流子輸運機制。在雙溝道氮化鎵外延襯底上實現(xiàn)了目前報道的最低p型歐姆接觸電阻值12Ω?mm 。打破了GaN p-FETs及CMOS上p型歐姆接觸制備困難的壁壘,連續(xù)兩月被列為排名前三的popular paper。

首次系統(tǒng)性研究InAlN材料體系原子層刻蝕技術,結(jié)合了不同時間O2plasma 和不同功率BCl3plasma,可以精確控制InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)的刻蝕深度,大幅度優(yōu)化了刻蝕后的表面粗糙度。

Si基GaN功率器件及其電源系統(tǒng)方面,研究涉及Cascode路線,p-GaN路線,p-GaN柵的石墨烯應用,U-GaN外延應用于p-GaN柵極,p-GaN柵極擊穿機理探究,p-GaN柵HEMTs的關態(tài)擊穿特性優(yōu)化,再生長凹柵路線,基于GaN HEMTs的電源適配器等。

研究通過優(yōu)化歐姆接觸工藝、場板工藝和Cascode封裝工藝,實現(xiàn)了器件導通電阻的降低和擊穿電壓的大幅提高,為高效率的電源模組實現(xiàn)提供了技術支撐,示范性應用在國家電網(wǎng)的智能終端。

Si基GaN射頻器件及其PA模塊方面,研究涉及免刻蝕常關型器件制備-應力工程,多指梳狀柵抑制短溝道效應,應力工程的可靠性驗證,GaN射頻功率放大器設計等。

研究提出了一種寬帶拓展的兩級Doherty PA新結(jié)構(gòu),通過降低載波PA的匹配網(wǎng)絡阻抗轉(zhuǎn)換比換取帶寬拓展,將Π型和T型網(wǎng)絡的結(jié)合,突破了傳統(tǒng)Doherty PA窄帶的限制,在5.15-5.85GHz頻段實現(xiàn)20dB增益和6dB回退效果的高線性度PA的效果。

GaN氣體傳感器及Ga2O3器件方面,研究涉及MIS-SBD、MOSFET仿真、常關型MOSFET等。研究顯示,采用Pt柵極可實現(xiàn)對H2S, H2等氣體實現(xiàn)低功耗、高靈敏度的快速檢測;采用TiO2柵極實現(xiàn)超低濃度10-ppb級別的CO檢測,500-ppb測試下可實現(xiàn)4s的快速響應;采用無柵金屬結(jié)構(gòu),利用GaN本身的材料特性可實現(xiàn)柴油煙塵顆粒檢測,其中器件測試后可通過600℃熱氧化處理再生,且傳感性能無變化,證明GaN傳感器具有高溫熱穩(wěn)定性和惡劣環(huán)境下的工作能力。







審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 充電器
    +關注

    關注

    100

    文章

    4257

    瀏覽量

    117790
  • 氣體傳感器
    +關注

    關注

    14

    文章

    569

    瀏覽量

    38174
  • 氮化鎵
    +關注

    關注

    61

    文章

    1764

    瀏覽量

    117500
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    19

    文章

    2178

    瀏覽量

    76194

原文標題:于洪宇教授:Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

文章出處:【微信號:第三代半導體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    在混合電源設計上,Si、SiC、GaN如何各司其職?

    ,電子發(fā)燒友近期對此也進行了報道。 在電源、逆變器等領域,近年第三代半導體的興起,讓各種采用SiC和GaN的方案出現(xiàn)在市場上,同時也包括多種器件混合使用的方案,所以這些混合方案都有哪些優(yōu)勢? 混合電源方案怎么選擇器件? SiC和
    的頭像 發(fā)表于 07-08 02:04 ?4055次閱讀
    在混合電源設計上,<b class='flag-5'>Si</b>、SiC、<b class='flag-5'>GaN</b>如何各司其職?

    零序諧波驅(qū)動六相PMSM雙電機串聯(lián)系統(tǒng)研究

    耦矢量控制方法,并通過電機變速、變載運行的仿真研究,驗證了該串聯(lián)系統(tǒng)的可行性。 純分享帖,需要者可點擊附件免費獲取完整資料~~~*附件:零序諧波驅(qū)動六相PMSM雙電機串聯(lián)系統(tǒng)研究.pdf【免責聲明
    發(fā)表于 06-09 16:27

    新成果:GaNVCSEL動態(tài)物理模型開發(fā)

    團隊開發(fā)了 GaNVCSEL的動態(tài)物理模型 ,揭示了器件內(nèi)部載流子輸運行為對激光器動態(tài)特性的影響規(guī)律。 GaN材料固有的極化特性導致GaN
    的頭像 發(fā)表于 06-05 15:58 ?84次閱讀
    新成果:<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>基</b>VCSEL動態(tài)物理模型開發(fā)

    機器學習賦能的智能光子學器件系統(tǒng)研究與應用

    騰訊會議---六月直播 1.機器學習賦能的智能光子學器件系統(tǒng)研究與應用 2.COMSOL聲學多物理場仿真技術與應用 3.超表面逆向設計及前沿應用(從基礎入門到論文復現(xiàn)) 4.智能光學計算成像技術
    的頭像 發(fā)表于 06-04 17:59 ?92次閱讀
    機器學習賦能的智能光子學<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>系統(tǒng)研究</b>與應用

    浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實現(xiàn)更高的電壓路徑

    電壓(BV)GaNHEMT器件研究成果。Qromis襯底技術(QST?)硅氮化鎵(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首選技
    的頭像 發(fā)表于 05-28 11:38 ?108次閱讀
    浮思特 | 在工程襯底上的<b class='flag-5'>GaN</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>實現(xiàn)更高的電壓路徑

    氧化鎵器件研究現(xiàn)狀和應用前景

    在超寬禁帶半導體領域,氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。泰克中國區(qū)技術總監(jiān)張欣與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授,圍繞氧化鎵器件研究現(xiàn)狀、應用
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:13 ?379次閱讀

    GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別

    如果想要說明白GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別,首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性,然后再根據(jù)材料特性分析具體應用。
    的頭像 發(fā)表于 03-14 18:05 ?766次閱讀

    氮化鎵(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    什么是氮化鎵(GaN)充電頭?氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵(GalliumNitride,GaN)半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅Si)充電器,
    的頭像 發(fā)表于 02-27 07:20 ?849次閱讀
    氮化鎵(<b class='flag-5'>GaN</b>)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    GaN技術:顛覆傳統(tǒng)硅,引領科技新紀元

    中的未來前景。 如今,電源管理設計工程師常常會問道: 現(xiàn)在應該從硅功率開關轉(zhuǎn)向GaN開關了嗎? 氮化鎵(GaN)技術相比傳統(tǒng)硅 MOSF
    的頭像 發(fā)表于 02-11 13:44 ?470次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b>技術:顛覆傳統(tǒng)硅<b class='flag-5'>基</b>,引領科技新紀元

    Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

    大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的
    的頭像 發(fā)表于 01-21 11:03 ?1537次閱讀
    <b class='flag-5'>Si</b> IGBT和SiC MOSFET混合<b class='flag-5'>器件</b>特性解析

    碳化硅功率器件的工作原理和應用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si功率器件,碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點,使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應用中具有明顯的優(yōu)勢。本
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?1142次閱讀
    碳化硅功率<b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應用

    氮化鎵(GaN)功率半導體市場風起云涌,引領技術革新與產(chǎn)業(yè)升級

    技術的成熟以及電動汽車、人工智能、機器人等新興產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,對更高功率、更低能耗的需求日益增長,氮化鎵器件正逐步取代傳統(tǒng)硅器件,在高價值應用場景中展現(xiàn)出巨大的商業(yè)化潛力。
    的頭像 發(fā)表于 08-26 16:34 ?845次閱讀

    芯干線科技GaN功率器件及應用

    第一代半導體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,它們?yōu)榘雽w行業(yè)奠定了堅實的基礎。隨著技術的發(fā)展,第二代半導體材料以砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb)為核心,這些材料的高頻和高速特性,為電子器件
    的頭像 發(fā)表于 08-21 10:01 ?1008次閱讀
    芯干線科技<b class='flag-5'>GaN</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>及應用

    GaN MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及原理

    GaN MOSFET(氮化鎵金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種新型的功率器件,具有高功率密度、高效率和快速開關速度等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比,GaN MOSFET具有更高的
    的頭像 發(fā)表于 07-14 11:39 ?2479次閱讀

    CGD推出高效環(huán)保GaN功率器件

    近日,無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司Cambridge GaN Devices(CGD)發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵(GaN)功率器件,旨在推動電子器件向更環(huán)保的方向發(fā)展。
    的頭像 發(fā)表于 06-12 10:24 ?864次閱讀