如果想要說明白GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別，首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性，然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。

從材料分類來講

第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導(dǎo)體材料。

第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料（例如InP, GaAs等應(yīng)用在射頻領(lǐng)域）。

第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、氮化鋁（AlN）等化合物材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。

從工作特性來講

SI MOS適合在1KV 150KHz的開關(guān)頻率下工作；SI IGBT適合在650V--4KV，100KHz以內(nèi)的開關(guān)頻率下工作；超級(jí)SI適合在1KV以內(nèi)、300KHz以內(nèi)，135°以內(nèi)的開關(guān)頻率下工作。未來的方向超級(jí)硅MOS器件會(huì)逐漸的替代傳統(tǒng)硅MOS。

SiC適合工作在1KV以上，300KHz以內(nèi)，175°以內(nèi)的條件下，適合大功率電源設(shè)計(jì)。一般替代IGBT器件。

GaN適合工作在1KV以內(nèi)，2MHz以內(nèi)，150°以內(nèi)的條件下，適合應(yīng)用在幾千瓦以內(nèi)的電源設(shè)計(jì)，一般用來替代200mR以上，300K以上工作條件下的SI-MOS。

從半導(dǎo)體功率器件替代發(fā)展方向來講

超級(jí)硅會(huì)逐漸替代650V以內(nèi)、200mR以上內(nèi)阻的部分SI MOS器件。多為150W以內(nèi)的小型高功率密度電源。

SIC MOS主要替代IGBT單管。多用在6KW以上的高功率密度電源。

GaN主要替代1KV以內(nèi)的功率MOS或者IGBT單管，實(shí)現(xiàn)高頻化、高功率密度的小體積電源設(shè)計(jì)。多用在6KW以內(nèi)的高功率密度電源。

從應(yīng)用方向來講

電源產(chǎn)品應(yīng)用了第三代功率半導(dǎo)體之后，高頻化、小型化、高效化在電源行業(yè)逐漸變的可能。

Si和化合物半導(dǎo)體是兩種互補(bǔ)的材料，化合物的某些性能優(yōu)點(diǎn)彌補(bǔ)了Si晶體的缺點(diǎn)，而Si晶體的生產(chǎn)工藝又明顯的有不可取代的優(yōu)勢，且兩者在應(yīng)用領(lǐng)域都有一定的局限性。

因此在半導(dǎo)體的應(yīng)用上常常采用兼容手段將這二者兼容，取各自的優(yōu)點(diǎn)，從而生產(chǎn)出符合更高要求的產(chǎn)品，如高可靠、高速度的國防軍事產(chǎn)品。因此第一、三代是一種長期共同的狀態(tài)。