近日，無晶圓廠環保科技半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）發布了一系列革命性的高能效氮化鎵（GaN）功率器件，旨在推動電子器件向更環保的方向發展。

這款新型ICeGaN GaN功率IC采用了創新的芯片和封裝設計，具備超低導通電阻（RDS(on)）的特點。其中，ICeGaN P2系列IC的RDS(on)更是低至25 mΩ，足以支持多kW功率應用，并在使用過程中展現出超高的效率。

這款GaN功率IC的推出，為數據中心、逆變器、電機驅動器和其他工業電源等高功率應用帶來了顯著的性能提升。其高效能不僅有助于減少能源消耗，還能有效減少熱量產生，進一步提高了設備的可靠性和使用壽命。

作為一家無晶圓廠公司，CGD專注于氮化鎵技術的研發和應用，致力于通過創新技術推動電子產業的綠色發展。此次推出的高效環保GaN功率器件，正是CGD在環保科技領域取得的又一重要成果。