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CGD開發GaN,致力于打造更環保電子器件

要長高 ? 2024-06-07 14:40 ? 次閱讀

位于英國劍橋市的無晶圓制造環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices(簡稱 CGD)研發了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件,主攻更為環保的電子設備領域。近日,該公司正與全球先進連接與電源解決方案供應商 Qorvo?聯手研發 GaN在電機控制應用中的參考設計及評估套件(EVK)。此舉旨在加速 GaN功率 IC在無刷直流電機BLDC)和永磁同步電機(PMSM)應用中的普及,構建出更高功率、高效、緊湊且穩定的系統。值得一提的是,Qorvo在其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 電機控制器和驅動器的 EVK 設計中,采用了 CGD的ICeGaN?(IC 增強型 GaN)技術。

CGD首席執行官 Giorgia Longobardi表示:“我們的 ICeGaN HEMT提供了接口電路,無需集成控制器,只需與高度集成的電機控制器和驅動 IC簡單結合,即可由如 Qorvo的 PAC5556A 600 V高性能 BLDC/PMSM 電機控制器和驅動器輕松驅動。我們非常榮幸能與 Qorvo攜手,讓他們的電機控制器和驅動器充分享受 GaN所帶來的諸多好處。”

Qorvo功率管理事業部總經理 JEFF Strang則表示:“GaN和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導體因其具有更高的功率密度和效率優勢,廣泛運用于各類電機控制應用中。CGD的 ICeGaN產品具備易用性和可靠性兩大特點,這正是電機控制和驅動設計者所關注的重點。我們期待看到設計工程師們將 CGD的 ICeGaN與我們高度集成的 PAC5556A 600V 無刷直流電機控制解決方案相結合后的精彩表現。”

GaN的諸多優勢包括:更低的損耗,帶來更高的效率,進一步提升功率可用性并降低熱量產生。這使得對復雜、龐大且昂貴的熱管理解決方案的需求得以降低,從而打造出更小巧、更強大、壽命更長久的系統。同時,GaN在低速狀態下也能提供更大的扭矩,實現更精準的控制。此外,GaN的高速開關特性有助于降低噪音,特別適用于吊扇、熱泵以及冰箱等家用電器。

與其他 GaN器件相比,ICeGaN還具備以下顯著優勢:其柵極驅動電壓與 IGBT兼容,無需負關斷電壓,且可使用低成本的電流驅動器。最重要的是,ICeGaN內置電流感測功能,簡化電路設計并降低物料清單(BOM)。

目前,參考設計已經面世,EVK RD5556GaN預計將于今年第三季度推出市場。該產品將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉辦的PCIM展覽會上首次亮相。屆時,CGD的展位號為7-643,Qorvo的展位號為7-406。

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