摘要 本文介紹了電力電子器件的詳細分類,并著重介紹了 IGBT 的選用以及保護應注意事項。電力電子技術是以電力為對象的電子技術,它 的主要任務是對電能進行控制和變換。隨著微電子 技術以及計算機技術的發(fā)展,不斷涌現(xiàn)出新型的電 力半導體器件,并通過發(fā)展逐步將電力電子技術劃 分為傳統(tǒng)電力電子技術(以半控型電力器件為核心) 和現(xiàn)代電力電子技術(以全控型器件為核心)。尤其 近幾年電力電子技術始終與逆變電源領域的發(fā)展密 不可分,越來越成為該領域中的重要組成部分,也極 大地帶動了逆變領域的飛速發(fā)展。 IGBT（Isolated Gate Bipolar Transistor）是絕緣門 極雙極型晶體管，它是 20 世紀 80 年代末 90 年代初 迅速發(fā)展起來的新興復合功率開關器件，屬全控型自 關斷器件。由于它將 MOSFET 和 GTR 的優(yōu)點集于一 身，即 MOSFET 輸入阻抗高、開關損耗小（約為 GTR 的 1/3）、速度快（可在 10~50kHz 頻率下工作）、熱穩(wěn) 定性好、電壓驅動功率小；又有 GTR 控制電流能力 強、通態(tài)壓降低（一般為 3V，與 MOSFET 相比，大 于 10 倍以上）、大電流（一般載流量是 MOSFET 的 5～ 10 倍以上）等特點。適合高電壓、大電流、大功率（＞ 5kW 以上），開關頻率大于 1kHz 的應用場合更顯優(yōu) 勢。是目前中、高頻開關器件和大功率電力電子裝置中的主流器件。用于各種逆變焊接電源、開關電源和 感應加熱電源等電力電子設備中。隨著 IGBT 制造技 術水平的提高，特別是電流和耐壓性能指標（已達到 1.2kA/3.3kV）提高，使 IGBT 器件的應用范圍將進一 步擴展到更大功率控制變換場合。市場上主要有 EUPEC（優(yōu)派克）：BSM、FF、FZ 系列；西門康：SKM、 SKIIP 系列；東芝：MG、MIG 系列；三菱：CM、PM、 RM、TM 系列；富士：1MB1、2MB1、6MBP 系列； 仙童：SGH、TGL、FGA、SGL 系列品牌。