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信越化學推出12英寸GaN晶圓,加速半導體技術創新

CHANBAEK ? 來源:網絡整理 ? 2024-09-10 17:05 ? 次閱讀

日本半導體材料巨頭信越化學近日宣布了一項重大技術突破,成功研發并制造出專用于氮化鎵(GaN)外延生長的300毫米(即12英寸)晶圓,標志著公司在高性能半導體材料領域邁出了堅實的一步。此次推出的QST 300mm晶圓,憑借其獨特的熱膨脹系數(CTE)與GaN材料完美匹配,有效解決了外延層在生長過程中可能出現的翹曲和裂紋問題,顯著提升了產品的良率和可靠性。

此前,信越化學已在市場上成功推廣了150毫米(6英寸)和200毫米(8英寸)的QST襯底及其上的GaN外延產品,贏得了業界的廣泛認可。此次12英寸GaN晶圓的推出,不僅進一步豐富了公司的產品線,也為全球GaN器件制造商提供了更大尺寸、更高質量的材料選擇,有望推動GaN技術在電力電子無線通信等領域的廣泛應用和快速發展。

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