德州儀器，作為全球領先的半導體解決方案供應商，近日宣布正在積極推進其氮化鎵（GaN）半導體生產工藝從當前的6英寸向8英寸過渡。這一重大舉措旨在進一步提高生產效率、降低成本，并鞏固公司在GaN半導體市場的領先地位。

據德州儀器韓國總監Ju-Yong Shin透露，公司傳統上采用6英寸工藝生產氮化鎵半導體，但隨著技術的不斷進步和市場需求的日益增長，6英寸工藝已逐漸難以滿足高效、大規模的生產需求。因此，德州儀器決定對生產工藝進行升級，以適應市場發展的新趨勢。

德州儀器計劃在其位于達拉斯的工廠率先實現這一過渡，預計將在2025年之前完成8英寸工藝的量產。同時，位于日本會津的工廠也正在緊鑼密鼓地將現有的硅基8英寸產線轉換為GaN半導體產線，以進一步提升公司的整體產能和效率。