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德州儀器(TI)近日推出兩款創新的功率轉換器件產品系列,旨在幫助工程師在更緊湊的空間內實現更高的功率輸出,從而以更低的成本提供卓越的功率密度。這一突破性...
三菱電機發布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM
三菱電機集團近日宣布,開始為5G massive MIMO*1(mMIMO)基站提供新型16W平均功率氮化鎵(GaN)功率放大器模塊(PAM)的樣品。P...
ROHM羅姆確立了一項超高速驅動控制IC技術,利用該技術可更大程度地激發出GaN等高速開關器件的性能。近年來,GaN器件因其具有高速開關的特性優勢而被廣...
華碩ROG Thor III PSU:1600W額定功率,配備磁性OLED顯示屏
華碩推出了全新的旗艦級PC電源系列——ROG Thor III PSU系列,該系列包括1000W、1200W和1600W三種不同容量的型號。這些電源均采...
GaN(氮化鎵)功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布,其低電流,大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
三星啟動氮化鎵功率半導體代工 三星電子近期業績壓力很大,市場疲軟、存儲芯片價格的下跌使得三星電子2023年第二季度的利潤暴跌,根據三星電子公布的2023...
氮化鎵(GaN)是第三代半導體材料,其運行速度比舊式慢速硅(Si)技術加快了二十倍,并且能夠實現高出三倍的功率,用于尖端快速充電器產品時,可以實現遠遠超...
三安與朗明納斯達成美洲獨家銷售協議,加速寬禁帶半導體市場拓展
據了解,三安半導體與朗明納斯均為三安光電集團的子公司,2013年,三安光電收購了朗明納斯100%股權。
廣電計量聯合舉辦半導體技術創新發展論壇,標準引領創“芯”發展
5月25日上午,半導體技術創新發展論壇在廣電計量科技產業園順利舉辦,來自全國各地100多名國內頂尖的高校專家、行業領袖,共同聚焦SiC、GaN等前沿技術...
適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...
不斷增加的汽車電氣化、5G通信、工業4.0以及基于GaN的主流設計正漸入佳境,都將推動2021年及未來功率半導體的需求增長。
Gel-Pak VR真空釋放盒應用于50V GaN HEMT 芯片
50V GaN HMET 芯片采用上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放盒進行包裝, Gel-Pak 采用了無殘膠的膜技術, 可以將芯片牢固地固定...
5G 產業潛力巨大,但行業如何才能克服成本、功耗與性能等相關挑戰,確保 5G 在第二次浪潮中大獲成功?
電源設計說明:面向高性能應用的新型SiC和GaN FET器件分析
第一款 UJ4SC075006K4S 器件功能非常強大,導通電阻 (R DS(on) ) 僅為 6 mΩ 和 750 V,是 UnitedSiC 九件套...
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