女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Gel-Pak VR真空釋放盒應用于50V GaN HEMT 芯片

伯東企業(上海)有限公司 ? 2023-08-07 14:28 ? 次閱讀

某碳化硅 SiC 和 氮化鎵 GaN 供應商新推出了三款 50V 分立氮化鎵高電子遷移率晶體管 HEMT 芯片, 分別是: 20W, 6GHz 芯片;75W, 6GHz 芯片以及 320W, 4GHz 芯片, 從而使得該系列的產品數量達到 5種, 這一系列是目前市場上唯一的商用 50V 裸芯 GaN HEMT 芯片.

Gel-Pak VR 真空釋放盒為 50V GaN HEMT 芯片提供儲存和運輸解決方案
50V GaN HMET 芯片采用上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放盒進行包裝, Gel-Pak 采用了無殘膠的膜技術, 可以將芯片牢固地固定住, 避免在運輸和儲存過程中因為碰撞等造成芯片的損害.

gelpak 真空釋放盒上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放盒


上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放膠盒, 膠盒表面在網狀材料上使用專有的 Gel 膠或無硅 Vertec? 膠膜將芯片固定在適當位置, 通過在托盤底側施加真空將芯片釋放. Gel-Pak 真空釋放盒適用于大批量器件自動拾取和放置應用, 特別是超薄芯片.

gelpak 真空釋放盒上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放盒

Gel-Pak VR 真空釋放膠盒特點:

適合大多數的芯片尺寸

適用于手動操作 (真空吸筆) 或自動拾取設備 ( Pick &Place 設備)

適用于運輸或處理易碎的器件( 比如減薄的 InP 磷化銦晶圓)

通常應用在 2英寸和 4英寸的托盤

可以用來運輸晶圓或者大尺寸超薄器件

適用于對清潔度要求高的場合

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關注

    關注

    459

    文章

    52192

    瀏覽量

    436232
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    31

    文章

    3157

    瀏覽量

    64449
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    19

    文章

    2177

    瀏覽量

    76169
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    MAX3250 ±50V隔離、3.0V至5.5V供電、250kbps、2 Tx/2 Rx、RS-232收發器技術手冊

    MAX3250為3.0V至5.5V供電、±50V隔離的EIA/TIA-232和V.28/V.24通信接口
    的頭像 發表于 06-06 16:08 ?35次閱讀
    MAX3250 ±<b class='flag-5'>50V</b>隔離、3.0<b class='flag-5'>V</b>至5.5<b class='flag-5'>V</b>供電、250kbps、2 Tx/2 Rx、RS-232收發器技術手冊

    GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例

    GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結 本文檔基于GaN HEMT的實測特性描述了當前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發。本文檔首先介紹該模
    的頭像 發表于 03-11 17:43 ?798次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>的SPICE模型使用指南及示例

    GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊

    GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現了業內出色的FOM 。該產品屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉換效率并減小產品尺寸
    的頭像 發表于 03-07 15:46 ?388次閱讀
    GNP1070TC-Z 650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 數據手冊

    高速GaN E-HEMT的測量技巧方案免費下載

    高速GaN E-HEMT的測量技巧總結 一、概述 ? 重要性 ?:GaN E-HEMT(氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管)具有極高的開關速度,因此準確的測量技術對評估其性能至關重要。 ?
    的頭像 發表于 02-27 18:06 ?449次閱讀

    GaN HEMT憑什么贏得市場青睞

    硅基半導體經過多年發展,其性能逐漸接近極限,在進一步降本增效的背景下,第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
    的頭像 發表于 02-27 09:38 ?399次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>憑什么贏得市場青睞

    羅姆EcoGaN產品GaN HEMT被村田AI服務器電源采用

    全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產品GaN HEMT,被先進的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata
    的頭像 發表于 02-26 15:41 ?447次閱讀

    ROHM攜手ATX量產650V耐壓GaN HEMT

    全球知名半導體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產。這一里程碑式的進展
    的頭像 發表于 02-18 10:03 ?490次閱讀

    使用指引:Gel-Pak VTX應用于100微米芯片托盤

    , 表面白色, 可以根據您的要求印刷字母和圖案。 Gel-Pak VTX 使用場景 注塑的托盤上密布 50微米尺寸的 TPE 凸塊, 更加適用于超小裸芯片顆粒的操作和運輸制程。 適
    的頭像 發表于 02-12 10:58 ?321次閱讀

    PDTD114EU 50V 500mA NPN電阻的晶體管規格書

    電子發燒友網站提供《PDTD114EU 50V 500mA NPN電阻的晶體管規格書.pdf》資料免費下載
    發表于 01-23 16:28 ?0次下載
    PDTD114EU <b class='flag-5'>50V</b> 500mA NPN電阻的晶體管規格書

    PDTB114EU 50V、500mA PNP電阻晶體管規格書

    電子發燒友網站提供《PDTB114EU 50V、500mA PNP電阻晶體管規格書.pdf》資料免費下載
    發表于 01-23 16:26 ?0次下載
    PDTB114EU <b class='flag-5'>50V</b>、500mA PNP電阻晶體管規格書

    Gel-Pak超凈真空釋放保護膜移除指引

    上海伯東美國 Gel-Pak真空釋放 Vacuum ReleaseTM 是一種使用特殊的凝膠將芯片或器件牢固固定, 以防運輸或操作時損
    的頭像 發表于 01-07 10:04 ?391次閱讀
    <b class='flag-5'>Gel-Pak</b>超凈<b class='flag-5'>真空</b><b class='flag-5'>釋放</b><b class='flag-5'>盒</b>保護膜移除指引

    Gel-Pak VRP 可變黏度防靜電真空釋放

    上海伯東美國 Gel-Pak VRP 真空釋放相對于傳統的真空釋放 Vacuum Releas
    的頭像 發表于 10-18 14:19 ?552次閱讀
    <b class='flag-5'>Gel-Pak</b> VRP 可變黏度防靜電<b class='flag-5'>真空</b><b class='flag-5'>釋放</b><b class='flag-5'>盒</b>

    LME49724電源電壓最大為38V,輸出壓擺50V峰峰值怎么出來的?

    LME49724電源電壓最大為38V,輸出壓擺50V峰峰值怎么出來的
    發表于 09-06 06:59

    GaN HEMT正加速成為儲能市場主流

    的應用前景。 ? 在消費電子快充市場,GaN功率芯片已經開始普及。GaN芯片的高頻特性帶來了整體功率密度的提升,使得充電器體積更小,充電速度更快。此外,
    的頭像 發表于 08-27 00:23 ?4340次閱讀

    GaN HEMT有哪些優缺點

    GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)作為一種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領域展現出了顯著的優勢,但同時也存在一些缺點。以下是對GaN HEMT優缺
    的頭像 發表于 08-15 11:09 ?2710次閱讀