GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉換效率并減小產(chǎn)品尺寸;內(nèi)置ESD保護功能,有助于實現(xiàn)高可靠性的設計。另外,通過采用通用性高的DFN封裝,不僅散熱性能出色,還非常易于安裝。采用DFN8080K 封裝,屬于 650V 增強型氮化鎵場效應晶體管(GaN FET) ,導通電阻 70mΩ,柵極電荷 5.2nC。
*附件:GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊.pdf
主要規(guī)格
- 型號 | GNP1070TC-ZE2
- 封裝 | DFN8080K
- 包裝形態(tài) | Taping
- 包裝數(shù)量 | 3500
- 最小獨立包裝數(shù)量 | 3500
- RoHS | Yes
特性
- 650V 增強型氮化鎵場效應晶體管(E-mode GaN FET)
- 70mΩ 電阻
- 5.2nC 柵極電荷
絕對最大額定值
電氣特性
測量電路和波形
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