BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過(guò)將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器集成到ROHM的原始封裝中，與傳統(tǒng)的分立解決方案相比，由PCB和引線鍵合引起的寄生電感顯著降低。因此，可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)150V/ns的高開(kāi)關(guān)壓擺率。另一方面，可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度有助于降低EMI，各種保護(hù)和其它附加功能可優(yōu)化成本和PCB尺寸。該IC旨在適應(yīng)現(xiàn)有的主要控制器，因此它也可以用來(lái)取代傳統(tǒng)的分立功率開(kāi)關(guān)，如超級(jí)結(jié)MOSFET。
*附件：BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
主要規(guī)格
型號(hào)| BM3G115MUV-LBE2
封裝| VQFN046V8080
包裝形態(tài)| 磁帶錄音
包裝數(shù)量| 1000
最小獨(dú)立包裝數(shù)量| 1000
特點(diǎn)：
- Nano Cap集成5 V LDO
- VDD引腳電壓的寬工作范圍
- IN引腳電壓的寬工作范圍
- 低VDD靜態(tài)和工作電流
- 低傳播延遲
- 高dv/dt免疫
- 可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
- 電源良好信號(hào)輸出
- VDD UVLO保護(hù)
- 熱關(guān)斷保護(hù)
應(yīng)用
典型應(yīng)用電路
引腳配置
引腳描述
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