BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
本產品是面向工業設備市場的優質產品，是這些應用場景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最佳解決方案。通過將 650V 增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaNHEMT）和硅驅動器集成到羅姆的原創封裝中，與傳統的分立解決方案相比，由印刷電路板（PCB）和引線鍵合引起的寄生電感顯著降低。因此，其能夠實現高達150V/ns 的高開關轉換速率。另一方面，可調節的柵極驅動強度有助于降低電磁干擾（EMI），各種保護功能和其他附加功能優化了成本和 PCB尺寸。該集成電路旨在適配現有的主流控制器，因此它還可用于替代傳統的分立功率開關，如超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。
*附件：BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊.pdf
主要規格
型號 | BM3G107MUV-LBE2
封裝 | VQFN046V8080
包裝形態 | Taping
包裝數量 | 1000
最小獨立包裝數量 | 1000
RoHS | Yes
特性
- Nano Cap?集成 5V 低壓差線性穩壓器（LDO）
- VDD 引腳電壓寬工作范圍
- IN 引腳電壓寬工作范圍
- 低 VDD 靜態和工作電流
- 低傳播延遲
- 高抗 dv/dt 能力
- 可調節柵極驅動強度
- 電源正常信號輸出
- VDD 欠壓鎖定（UVLO）保護
- 熱關斷保護
應用
典型應用電路
引腳配置
引腳描述
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