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EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產。但是幾年過去了,EUV已經遇到了一些延遲,將技術從一個節點推向下一個階段,本單元詳細介紹了EUV光刻機,EUV光刻機技術的技術應用,EUV光刻機的技術、市場問題,國產euv光刻機發展等內容。
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美光將在日本廣島建DRAM芯片制造工廠,2027年底或將竣工
美光近期發布公告,將斥資45至55億美元在日本廣島建設DRAM芯片制造工廠,以引入頂尖EUV設備,預計最早于2027年末實現先進DRAM量產。
本周在火奴魯魯舉行的VLSI(超大規模集成電路)研討會上,三星首次分享了基于EUV技術的7nm工藝細節。
生產2納米的利器!成本高達3億歐元,High-NA EUV***年底交付 !
ASML是歐洲最大半導體設備商,主導全球光刻機設備市場,光刻機是半導體制造關鍵步驟,但高數值孔徑(High NA)EUV,Peter Wennink指有...
臺積電推出采用EUV的5nm工藝設計 密度提高1.8倍,性能提高15%
臺積電近日宣布,將基于該公司的開放式創新平臺(OIP)提供完整版的5nm工藝設計制成。 據該公司稱,5nm工藝已經處于風險生產階段,針對5G和人工智能市...
英特爾突破技術壁壘:首臺商用High NA EUV光刻機成功組裝
英特爾的研發團隊正致力于對這臺先進的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻機進行細致的校準工作,以確保其能夠順利融入未...
根據資料顯示,在2012年,為了支持ASML EUV光刻機的研發與商用,并獲得EUV光刻機的優先供應,在2012年,英特爾、臺積電、三星均斥資入股了AS...
據日本經濟新聞報道,日本經濟產業省和荷蘭經濟和氣候政策省于6月21日簽署了促進半導體領域等合作的合作備忘錄(MOC: Memorandum of Coo...
阿斯麥(ASML)公司首臺高數值孔徑EUV光刻機實現突破性成果
在半導體領域,技術創新是推動整個行業向前發展的重要動力。近日,荷蘭阿斯麥(ASML)公司宣布,成功打造了首臺采用0.55數值孔徑(NA)投影光學系統的高...
不能否認的是,摩爾定律正在逐漸走向極限。業界對于未來技術如何發展,早已有了“More Moore”(繼續推進摩爾定律)和“More than Moore...
三星投資60億美元7nm EUV工廠動工 后者驍龍芯片可能誕生于此
據報道,三星投資60億美元建設的新的半導體工廠已經破土動工,此工廠主用于擴充7nm EUV的產能,有人猜測后者的驍龍芯片將可能會在這里誕生。
比利時納米電子創新中心imec和日本化學公司三井化學宣布建立戰略合作伙伴關系,將下一代EUV半導體光刻系統的關鍵組件商業化。
臺積電表示A16工藝不需NAEU,新一代CoWoS封裝獲重大突破
在封裝技術的研發道路上,臺積電從未停止過前進的腳步。而除了CoWoS封裝技術的巨大進展,該公司還首次對外公布了其A16制程工藝。
在一場將于12月舉行的技術研討會上,晶圓代工大廠臺積電(TSMC)將與競爭對手Globalfoundries、三星(Samsung)結成的伙伴聯盟,公開...
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