根據(jù)富士經(jīng)濟(jì)調(diào)查預(yù)測(cè), 2023 年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)將比上年減少 9.4%,為465億美元。2024年,預(yù)計(jì)整個(gè)市場(chǎng)將增長(zhǎng)至494億美元,同比增長(zhǎng)5.8%。且此后還將繼續(xù)增長(zhǎng),預(yù)計(jì)2027年將達(dá)到586億美元。
富士經(jīng)濟(jì)發(fā)布《2023年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)現(xiàn)狀與未來展望》,總結(jié)了近期半導(dǎo)體材料市場(chǎng)調(diào)查結(jié)果。報(bào)告顯示,從2022年上半年開始進(jìn)入庫(kù)存調(diào)整的半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響持續(xù)到了2023年,半導(dǎo)體材料市場(chǎng)預(yù)計(jì)將比去年減少9.4%,約為465億美元。
按工序劃分,前端材料市場(chǎng)預(yù)計(jì)將同比下降11.9%,為334億美元。而對(duì)EUV光掩模和光刻膠的需求正在增加。由于晶體管結(jié)構(gòu)的變化,以及由于3D NAND的增加導(dǎo)致的工藝數(shù)量增加,對(duì)現(xiàn)有沉積材料、蝕刻材料和清洗解決方案的需求預(yù)計(jì)將增加。后端材料市場(chǎng)預(yù)計(jì)將同比下降2.2%,約131億美元。
2024 年,整體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將同比增長(zhǎng) 5.8% 至 494 億美元,且此后將繼續(xù)增長(zhǎng),到 2027 年預(yù)計(jì)達(dá)到 586 億美元。
圖:2023年和2027年的半導(dǎo)體材料市場(chǎng)預(yù)測(cè)(來源:富士經(jīng)濟(jì))
對(duì)于未來的市場(chǎng)預(yù)計(jì)
從主要材料來看,光掩模市場(chǎng)預(yù)計(jì)2027年將達(dá)69億美元,比2023年的59億美元增長(zhǎng)13.1%;光刻膠市場(chǎng)預(yù)計(jì)2023年將減少8.7%,約28億美元,到2027年同比增加21.7%,約為28億美元;CMP漿料市場(chǎng)預(yù)計(jì)2023 年約為為 17 億美元(同比減少 10.5%),到2027年同比增長(zhǎng)21.1%,約為 28 億美元。
其中,由于邏輯半導(dǎo)體層數(shù)的增加和晶體管結(jié)構(gòu)復(fù)雜性的增加導(dǎo)致的工藝數(shù)量的增加,以及由于CUA(CMOS Under Array)方法的普及,導(dǎo)致工藝數(shù)量的增加,CMP工藝有望推動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng),CUA(CMOS陣列下)方法在單片結(jié)構(gòu)中形成邏輯部件和存儲(chǔ)單元,目的是減少3D NAND中的單元面積。
此外,PFC蝕刻氣體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從2023年的8億美元(同比下降11.1%)增長(zhǎng)到2027年的11億美元(同比增長(zhǎng)22.2%)。
該報(bào)告指出,此次對(duì)25個(gè)前端工藝項(xiàng)目和11個(gè)后端工藝項(xiàng)目進(jìn)行了調(diào)查,預(yù)計(jì)到2024年半導(dǎo)體材料庫(kù)存調(diào)整問題將得到解決,隨著下一代通信、AI、云服務(wù)的發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體的需求將增加,半導(dǎo)體材料市場(chǎng)有望持續(xù)擴(kuò)大。
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NAND
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原文標(biāo)題:2023年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)將下降9.4%至465億美元
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