在俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾研發基地，一項歷史性的技術成就正逐漸浮出水面——業界首臺商用High NA（高數值孔徑）極紫外（EUV）光刻機已成功組裝。這一重要里程碑的達成，標志著英特爾在半導體制造領域的尖端技術取得了顯著進展。

目前，英特爾的研發團隊正致力于對這臺先進的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻機進行細致的校準工作，以確保其能夠順利融入未來的生產線。這款光刻機通過優化硅晶圓上的光學投影設計，極大地提升了下一代處理器的分辨率和功能，為英特爾的工藝技術注入了新的活力。

談及這一技術突破，英特爾院士兼相關技術研發部門總監Mark Phillips難掩興奮之情。他表示，High NA EUV光刻機的引入，使得英特爾擁有了業界領先的光刻技術，這將極大地推動公司在未來實現超越Intel 18A的工藝能力。

據了解，ASML的EXE:5000 High NA EUV光刻機具備令人矚目的8nm分辨率，相比傳統的EUV光刻機，其物理特征微縮了1.7倍，單次曝光的晶體管密度更是提升了2.9倍。這一重大進步意味著芯片制造商能夠簡化制造流程，同時顯著提高生產效率。值得一提的是，EXE:5000光刻機每小時可完成超過185個晶圓的光刻工作，相比現有的NXE系統，其產能得到了顯著提升。

ASML還計劃推出第二代High NA EUV光刻機，預計將在2025年實現每小時220片晶圓的產能。盡管High NA EUV光刻機的售價高達3.5億歐元，但其帶來的生產效益和技術優勢使得這一投資變得極具價值。

SML最近在荷蘭總部的High NA實驗室成功打印出了首條10納米密集線，這一成就刷新了EUV光刻機最高分辨率的世界紀錄。這一里程碑式的成果驗證了ASML合作伙伴蔡司的創新高數值孔徑EUV光學設計的卓越性能。

英特爾在High NA EUV光刻機方面的這一重大突破，不僅將極大地提升其自身的工藝能力，更將對整個半導體行業產生深遠影響。