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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理和主要性能指標(biāo)
有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(organic fieldeffect tran-sisbor,OFET)因具有以下幾個(gè)突出特點(diǎn)而受到研究人員的極大重視:材料來(lái)源廣、...
2018-01-03 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5.0萬(wàn) 0
電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),主要用于放大弱信號(hào),主要是無(wú)線信號(hào),放大模擬和數(shù)字信號(hào)。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是一種使用電場(chǎng)效應(yīng)改變器件電性能的晶體...
2022-04-16 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管電壓控制 3.7萬(wàn) 0
晶體管泛指所有半導(dǎo)體器件,包含N多種類,因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據(jù)使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據(jù)極性的不同可分為N...
2019-04-09 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙極性晶體管 3.6萬(wàn) 0
隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么_隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的介紹
隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是帶間隧穿(Band-to-band tun...
2018-01-03 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3.3萬(wàn) 0
有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么_有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹
本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個(gè)方面介紹了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2018-01-03 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.9萬(wàn) 0
講一講MOS的概念、工作原理、分類以及相關(guān)應(yīng)用
MOS的英文全稱就是MOSFET,其中后綴FET是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫,F(xiàn)ET是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)...
增強(qiáng)型和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
總的來(lái)說(shuō),場(chǎng)效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(E-F...
2012-02-02 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.2萬(wàn) 1
mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性...
2023-08-25 標(biāo)簽:MOS管信噪比場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.7萬(wàn) 0
然而在這里,我們也不得不提及另外一個(gè)大的人物,馬丁阿塔拉(Martin M. “John” Atalla)他也被認(rèn)為是MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)明人之一, ...
2020-04-04 標(biāo)簽:集成電路MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.6萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪幾種分類_場(chǎng)效應(yīng)晶體管作用是什么
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(英語(yǔ):field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場(chǎng)去控制導(dǎo)電溝道形狀,因此...
2017-12-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.5萬(wàn) 0
MOS開啟電壓一般為多少? MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常見而重要的半導(dǎo)體器件。在電子行業(yè)中,MOS被廣泛應(yīng)用于電路設(shè)計(jì)、功率放大、數(shù)字...
2023-09-02 標(biāo)簽:功率放大器MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.4萬(wàn) 0
本文主要介紹了mosfet命名方法及MOSFET電路符號(hào)。
2020-08-12 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.3萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管(FieldEffectTransistor)又稱場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。由多數(shù)載流子參與...
2022-04-16 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.2萬(wàn) 0
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱MOSF...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.2萬(wàn) 0
根據(jù)應(yīng)變的作用方向差異,應(yīng)變還可以分為雙軸應(yīng)變(Biaxial Strain,在晶片表面的x和y兩個(gè)方向上形成相對(duì)一致的應(yīng)力)和單軸應(yīng)變 (Uniaxi...
2022-11-28 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶格 1.1萬(wàn) 0
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,JFET):JFET是由p-n結(jié)柵極(G)與源極(S)和漏極(D)構(gòu)...
2020-08-07 標(biāo)簽:JFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8844 0
源極,什么是源極,源極是什么意思 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的...
2010-02-26 標(biāo)簽:源極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8050 0
mos管工作原理 mos管有什么用途和功能 MOS(Metal Oxide Semiconductor)管是一種基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)的電子器件,具有廣泛...
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...
2017-11-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體mos管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7368 0
德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用
德州儀器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過(guò)集成獨(dú)特的功能和保護(hù)特性,來(lái)實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),達(dá)到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能,為傳統(tǒng)級(jí)聯(lián)和獨(dú)立的GaN F...
2018-10-30 標(biāo)簽:德州儀器場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 7218 0
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