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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管資訊

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有消息稱蘋果公司已悄然啟動(dòng)基于臺(tái)積電2nm工藝的芯片設(shè)計(jì)工作

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Qorvo最近發(fā)布了一款新的碳化硅(SiC)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品,這款產(chǎn)品專為電動(dòng)汽車(EV)而設(shè)計(jì),符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。

2024-02-01 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管碳化硅Qorvo 926 0

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4月12日至14日,第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)在安徽宣城隆重舉辦,本屆會(huì)議由中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)組織委員會(huì)主辦,合肥工業(yè)大學(xué)承辦。

2024-04-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET三菱電機(jī) 881 0

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安森美宣布將收購(gòu)碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

安森美宣布與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Ca...

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微電子所在《中國(guó)科學(xué):國(guó)家科學(xué)評(píng)論》發(fā)表關(guān)于先進(jìn)CMOS集成電路新結(jié)構(gòu)晶體管的綜述論文

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來(lái)源:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是推動(dòng)大規(guī)模CMOS集成電路按照“摩爾定律”持續(xù)微縮并不斷發(fā)展的核心器件。...

2024-05-31 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管微電子 719 0

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MOSFET是一種MOS結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),具有高速、低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓的特點(diǎn),特別適合作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)的開(kāi)關(guān)元件,高速開(kāi)關(guān)大電流等已經(jīng)完成。

2023-12-29 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 714 0

一文解析現(xiàn)代場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)

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朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請(qǐng)的專利為場(chǎng)效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)直到1945年才出現(xiàn),但這個(gè)想...

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概述 AO8810/L采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)、低柵極電荷和柵極電壓低至1.8V的操作。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中...

2024-03-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 612 0

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導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過(guò)在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物...

2023-12-27 標(biāo)簽:IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 600 0

英飛凌IPD50N10S3L-16:高達(dá)180A電流的功率晶體管中文資料書

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概述: 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管,工作電壓最高達(dá)到1kV(SiC:2kV),具有高開(kāi)關(guān)速度和最佳效率。 這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)在消費(fèi)電...

2024-08-12 標(biāo)簽:英飛凌MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 517 0

用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)流動(dòng)水中毒素的可擴(kuò)展石墨烯傳感器陣列

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飲用水的風(fēng)險(xiǎn)管理通常需要對(duì)流動(dòng)水中的各種毒素進(jìn)行持續(xù)監(jiān)測(cè)。

2023-07-18 標(biāo)簽:電容器FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 511 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI公司
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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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