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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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簡(jiǎn)化汽車車身電機(jī)控制器設(shè)計(jì),快速實(shí)現(xiàn)輕量化
降低EMI可通過(guò)在芯片級(jí)和PCB級(jí)的功能和解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。降低EMI的一種關(guān)鍵方法是控制脈沖寬度調(diào)制(PWM)邊沿速率。柵極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品,如用于有刷DC(B...
2022-08-01 標(biāo)簽:電磁干擾場(chǎng)效應(yīng)晶體管電機(jī)控制器 978 0
TI推出其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的車用GaN FET
德州儀器高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示:“工業(yè)和汽車應(yīng)用日益需要在更小的空間內(nèi)提供更多的電力,設(shè)計(jì)人員必須提供能在終端設(shè)備長(zhǎng)久...
2020-11-11 標(biāo)簽:電源管理德州儀器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 954 0
有消息稱蘋果公司已悄然啟動(dòng)基于臺(tái)積電2nm工藝的芯片設(shè)計(jì)工作
作為臺(tái)積電最大的客戶,蘋果通常是第一個(gè)獲得其新芯片的公司。
2024-03-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體iPhone芯片設(shè)計(jì) 939 0
Qorvo發(fā)布碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管產(chǎn)品
Qorvo最近發(fā)布了一款新的碳化硅(SiC)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品,這款產(chǎn)品專為電動(dòng)汽車(EV)而設(shè)計(jì),符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。
2024-02-01 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管碳化硅Qorvo 926 0
三菱電機(jī)出席第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)
4月12日至14日,第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)在安徽宣城隆重舉辦,本屆會(huì)議由中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)組織委員會(huì)主辦,合肥工業(yè)大學(xué)承辦。
2024-04-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET三菱電機(jī) 881 0
臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)
12 月 14 日消息,臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)的小組研討會(huì)上透露,其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí),...
2023-12-18 標(biāo)簽:臺(tái)積電場(chǎng)效應(yīng)晶體管 857 0
安森美宣布將收購(gòu)碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)
安森美宣布與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Ca...
2024-12-13 標(biāo)簽:安森美場(chǎng)效應(yīng)晶體管碳化硅 841 0
安建半導(dǎo)體是一家專注于半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售的公司,主要產(chǎn)品包括高性能溝槽柵場(chǎng)截止型絕緣柵雙極性晶體管、屏蔽柵溝槽型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、高壓場(chǎng)效應(yīng)晶...
2024-04-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件安建半導(dǎo)體 825 0
在比利時(shí)安特衛(wèi)普舉行的ITF World 2023上,英特爾技術(shù)開(kāi)發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher概述了英特爾在幾個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的最新進(jìn)展,最有趣的是英特爾...
2023-05-20 標(biāo)簽:晶體管FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 755 0
臺(tái)積電官方對(duì)外開(kāi)放16nm FinFET技術(shù)
臺(tái)積電官網(wǎng)宣布推出大學(xué)FinFET專案,目的在于培育未來(lái)半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)人才并推動(dòng)全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。
2023-02-08 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 745 0
微電子所在《中國(guó)科學(xué):國(guó)家科學(xué)評(píng)論》發(fā)表關(guān)于先進(jìn)CMOS集成電路新結(jié)構(gòu)晶體管的綜述論文
來(lái)源:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是推動(dòng)大規(guī)模CMOS集成電路按照“摩爾定律”持續(xù)微縮并不斷發(fā)展的核心器件。...
2024-05-31 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管微電子 719 0
日本團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一種“常關(guān)”鉆石 MOSFET
MOSFET是一種MOS結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),具有高速、低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓的特點(diǎn),特別適合作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)的開(kāi)關(guān)元件,高速開(kāi)關(guān)大電流等已經(jīng)完成。
2023-12-29 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 714 0
一文解析現(xiàn)代場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)
朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請(qǐng)的專利為場(chǎng)效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)直到1945年才出現(xiàn),但這個(gè)想...
2025-01-23 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 688 0
AO8810 TSSOP-8 共漏雙n通道增強(qiáng)模場(chǎng)效應(yīng)晶體管
概述 AO8810/L采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)、低柵極電荷和柵極電壓低至1.8V的操作。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中...
2024-03-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 612 0
導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過(guò)在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物...
2023-12-27 標(biāo)簽:IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 600 0
英飛凌IPD50N10S3L-16:高達(dá)180A電流的功率晶體管中文資料書
概述: 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管,工作電壓最高達(dá)到1kV(SiC:2kV),具有高開(kāi)關(guān)速度和最佳效率。 這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)在消費(fèi)電...
2024-08-12 標(biāo)簽:英飛凌MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 517 0
用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)流動(dòng)水中毒素的可擴(kuò)展石墨烯傳感器陣列
飲用水的風(fēng)險(xiǎn)管理通常需要對(duì)流動(dòng)水中的各種毒素進(jìn)行持續(xù)監(jiān)測(cè)。
2023-07-18 標(biāo)簽:電容器FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 511 0
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