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標簽 > 場效應晶體管
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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研究人員研發了一種用于場效應晶體管(field-effect transistors,FETs)的高性能超薄聚合絕緣體。他們用汽化單體在多種表面成功制備...
隧道場效應晶體管 (Tunneling FET, TFET) 比傳統的 CMOS 場效應晶體管具有更優異的開關特性,更適用于超低功耗的電路。TEFT ...
晶體管的基本結構 晶體管主要分為兩大類:雙極型晶體管(BJT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。BJT由發射極(Emitter)、基極(B...
MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是電子電路中常用的一種功率放大器件,因其體積小、功耗低、驅動簡單等優點而被廣泛應用于各種電子設備中。然而,由于其...
碳化硅(SiC)技術已達到臨界點,即不可否認的優勢推動技術快速采用的狀態。 如今,出于多種原因,希望保持競爭力并降低長期系統成本的設計人員正在轉向基于S...
宜普電源轉換公司推出100V ~ 200V產品系列的EPC2059氮化鎵場效應晶體管
宜普電源轉換公司是增強型硅基氮化鎵(eGaN)功率場效應晶體管和集成電路的全球領先供應商,致力提高產品性能且降低可發貨的氮化鎵晶體管的成本,最新推出EP...
pn結的電容效應 為什么在pn結間加入i層可以減小結電容? PN結是一種半導體器件,其中P型半導體和N型半導體間由弱耗盡區隔離。這種器件有許多應用,例如...
EPC推出300W、雙向、1/16磚型轉換器評估模塊——EPC9151
面向高功率密度且低成本的DC/DC轉換,EPC9151功率模塊利用EPC2152 ePower?功率級實現性能更高和尺寸更小的解決方案。
為了提高隧道開關器件在 ON/OFF 電流比、亞閾值擺幅和 ON 電流密度方面的性能,一些研究試圖開發僅使用硅和 III-V 半導體或 2D 半導體的器件。
為什么源極跟隨器的噪聲性能很差? 源極跟隨器是一種簡單的放大器電路,它可以用來放大信號并提高電路的輸入電阻。源極跟隨器的噪聲性能往往會比其他放大器電路差...
一種用于檢測SARS-CoV-2的還原氧化石墨烯場效應晶體管生物傳感器
隨著新型冠狀病毒(SARS-CoV-2)的傳播,對快速、準確檢測和篩查新冠病毒肺炎(COVID-19)患者的工具的需求日益增加。
東京—東芝公司(TOKYO:6502)今天宣布面向超低功率微控制器(MCU)開發采用新工作原理的隧穿場效應晶體管(TFET)。
GaN器件是平面器件,與現有的Si半導體工藝兼容性強,因此更容易與其他半導體器件集成,進一步降低用戶的使用門檻,并在不同應用領域展現它的屬性和優勢,很有...
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