女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

常見MOS管型號及參數(shù)

科技綠洲 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-11-05 13:49 ? 次閱讀

MOS管(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡稱MOSFET)是一種廣泛使用的半導體器件,它在電子電路中扮演著開關(guān)、放大器等角色。

1. 2N7000系列

  • 型號 :2N7002、2N7005、2N7007、2N7008
  • 類型 :N溝道增強型MOSFET
  • 最大電壓 :60V(2N7002)、30V(2N7005)、-20V(2N7007)、-60V(2N7008)
  • 最大電流 :520mA(2N7002)、2.2A(2N7005)、2.2A(2N7007)、2.2A(2N7008)
  • 導通電阻 :約10Ω(2N7002)、約30Ω(2N7005)、約30Ω(2N7007)、約30Ω(2N7008)

2. IRF系列

  • 型號 :IRF540N、IRFZ44N、IRF9530
  • 類型 :N溝道增強型MOSFET
  • 最大電壓 :55V(IRF540N)、55V(IRFZ44N)、100V(IRF9530)
  • 最大電流 :26A(IRF540N)、49A(IRFZ44N)、37A(IRF9530)
  • 導通電阻 :約0.045Ω(IRF540N)、約0.038Ω(IRFZ44N)、約0.06Ω(IRF9530)

3. IRL系列

  • 型號 :IRLB8721、IRLB8748、IRLZ44N
  • 類型 :N溝道增強型MOSFET
  • 最大電壓 :100V(IRLB8721)、55V(IRLB8748)、55V(IRLZ44N)
  • 最大電流 :40A(IRLB8721)、40A(IRLB8748)、49A(IRLZ44N)
  • 導通電阻 :約0.09Ω(IRLB8721)、約0.038Ω(IRLB8748)、約0.038Ω(IRLZ44N)

4. SI2301/SI2302系列

  • 型號 :SI2301、SI2302
  • 類型 :N溝道增強型MOSFET
  • 最大電壓 :60V(SI2301)、60V(SI2302)
  • 最大電流 :21A(SI2301)、21A(SI2302)
  • 導通電阻 :約0.085Ω(SI2301)、約0.085Ω(SI2302)

5. STP60NF06系列

  • 型號 :STP60NF06
  • 類型 :N溝道增強型MOSFET
  • 最大電壓 :60V
  • 最大電流 :58A
  • 導通電阻 :約0.065Ω

6. 2SK系列

  • 型號 :2SK3566、2SK385
  • 類型 :N溝道增強型MOSFET
  • 最大電壓 :60V(2SK3566)、100V(2SK385)
  • 最大電流 :30A(2SK3566)、20A(2SK385)
  • 導通電阻 :約0.07Ω(2SK3566)、約0.05Ω(2SK385)

7. BUK系列

  • 型號 :BUK9Y9-40、BUK98150
  • 類型 :N溝道增強型MOSFET
  • 最大電壓 :40V(BUK9Y9-40)、150V(BUK98150)
  • 最大電流 :90A(BUK9Y9-40)、35A(BUK98150)
  • 導通電阻 :約0.08Ω(BUK9Y9-40)、約0.1Ω(BUK98150)
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    108

    文章

    2521

    瀏覽量

    69830
  • 參數(shù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    1866

    瀏覽量

    32860
  • 場效應(yīng)晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    394

    瀏覽量

    19914
  • 電子電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    1242

    瀏覽量

    67680
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    如何計算MOS驅(qū)動電路的參數(shù)? #MOS #驅(qū)動電路 #參數(shù) #電子

    MOS
    微碧半導體VBsemi
    發(fā)布于 :2025年05月14日 17:01:46

    電氣符號傻傻分不清?一個N-MOS和P-MOS驅(qū)動應(yīng)用實例

    MOS在電路設(shè)計中是比較常見的,按照驅(qū)動方式來分的話,有兩種,即:N-MOS和P-MOS
    的頭像 發(fā)表于 03-14 19:33 ?1150次閱讀
    電氣符號傻傻分不清?一個N-<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>和P-<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>驅(qū)動應(yīng)用實例

    MOS選型的問題

    什么型號的MOS。” 然后就會發(fā)現(xiàn)一個很常見的問題,大家都會把NMOS和PMOS的使用情況給混淆了。 在明確選擇自己需要哪種產(chǎn)品前,首先要確定采用的是NMOS還是PMOS,其次就是確定電壓、電流、熱要求和開關(guān)性能,最后就是確認
    的頭像 發(fā)表于 02-17 10:50 ?474次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>選型的問題

    MOS的并聯(lián)使用:如何保證電流均流?

    在功率電子電路中,為了滿足大電流需求,常常需要將多個MOS并聯(lián)使用。然而,由于MOS參數(shù)的離散性以及電路布局的影響,并聯(lián)的
    的頭像 發(fā)表于 02-13 14:06 ?1341次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的并聯(lián)使用:如何保證電流均流?

    三種常見MOS門極驅(qū)動電路 #電路知識 #芯片 #MOS #電子

    MOS
    微碧半導體VBsemi
    發(fā)布于 :2025年02月07日 17:24:02

    MOS常見應(yīng)用領(lǐng)域分析

    電子等眾多領(lǐng)域。我們將詳細分析MOS常見應(yīng)用領(lǐng)域及其在其中發(fā)揮的作用。1.電源管理MOS在電源管理領(lǐng)域的應(yīng)用尤為突出,是開關(guān)電源、穩(wěn)壓
    的頭像 發(fā)表于 12-26 10:06 ?1902次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的<b class='flag-5'>常見</b>應(yīng)用領(lǐng)域分析

    MOSFHP230N06V型號參數(shù)

    ,目前市場中常見的會有CS160N06、HY3906P、IRFB7537PBF等型號MOS是可以用于低壓工頻逆變器中的。但今天飛虹半導體是想給大家推薦另外一款純國產(chǎn)的低耐壓、大電流、低導通電阻的功率 MOSFET。 它就是FH
    的頭像 發(fā)表于 12-22 17:17 ?817次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>FHP230N06V型號<b class='flag-5'>參數(shù)</b>

    低功耗mos選型技巧 mos的封裝類型分析

    MOS的工作電壓和電流。這包括最大漏極-源極電壓(Vds)、最大柵極-源極電壓(Vgs)以及預(yù)期的漏極電流(Id)。這些參數(shù)將直接影響MOS
    的頭像 發(fā)表于 11-15 14:16 ?1284次閱讀

    一文詳解MOS電容參數(shù)

    在現(xiàn)代電子電路設(shè)計中,MOS無疑是最常用的電子元件之一。
    的頭像 發(fā)表于 11-06 09:55 ?3811次閱讀
    一文詳解<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>電容<b class='flag-5'>參數(shù)</b>

    MOS的封裝形式及選擇

    MOS的封裝形式及選擇的介紹: 一、MOS的封裝形式 按照安裝在PCB板上的方式來劃分,MOS
    的頭像 發(fā)表于 11-05 14:45 ?2832次閱讀

    MOS電路中的常見故障分析

    回顧MOS的工作原理是必要的。MOS是一種電壓控制器件,其導通和截止狀態(tài)由柵極電壓(V_GS)控制。當V_GS大于閾值電壓(V_th)時,MOS
    的頭像 發(fā)表于 11-05 14:14 ?1961次閱讀

    MOS寄生參數(shù)的定義與分類

    MOS(金屬-氧化物-半導體)的寄生參數(shù)是指在集成電路設(shè)計中,除MOS基本電氣特性(如柵極電壓、漏極電壓、柵極電流等)外,由于制造工藝、
    的頭像 發(fā)表于 10-29 18:11 ?2218次閱讀

    MOS的閾值電壓是什么

    MOS的閾值電壓(Threshold Voltage)是一個至關(guān)重要的參數(shù),它決定了MOS(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體
    的頭像 發(fā)表于 10-29 18:01 ?4704次閱讀

    AP30H50Q 快充vbus開關(guān)mos-30V mos參數(shù)規(guī)格書

    供應(yīng)AP30H50Q 快充vbus開關(guān)mos-30V mos參數(shù)規(guī)格書,是ALLPOWER銓力半導體代理商,提供AP30H50Q 快充v
    發(fā)表于 10-19 10:32 ?0次下載

    MOS寄生參數(shù)的影響

    MOS(金屬-氧化物-半導體)作為常見的半導體器件,在集成電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而,MOS的性能并非僅由其基本電氣特性決定,還受
    的頭像 發(fā)表于 10-10 14:51 ?1382次閱讀